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EDI8M8257LP120C6B

SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-T32
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流
0.00085 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
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