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EGL41E

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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参数对比
与EGL41E相近的元器件有:BYM12-100、BYM12-150、BYM12-300、EGL41C、EGL41G。描述及对比如下:
型号 EGL41E BYM12-100 BYM12-150 BYM12-300 EGL41C EGL41G
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 0.5 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 0.5 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 - SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V - 1 V 1.25 V
元件数量 - 1 1 - 1 1
最高工作温度 - 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C
最大输出电流 - 1 A 1 A - 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 - 100 V 150 V - 150 V 400 V
最大反向恢复时间 - 0.05 µs 0.05 µs - 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 - YES YES - YES YES
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器件捷径:
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