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EP1034H

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Msi Electronics Inc

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Msi Electronics Inc
包装说明
O-MUPM-N1
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW INDUCTANCE
最小击穿电压
30 V
外壳连接
CATHODE
配置
SINGLE
最小二极管电容比
2.9
标称二极管电容
22 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带
ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码
O-MUPM-N1
元件数量
1
端子数量
1
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
最大功率耗散
5 W
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
800
最大重复峰值反向电压
30 V
最大反向电流
2e-8 µA
反向测试电压
25 V
表面贴装
NO
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
变容二极管分类
ABRUPT
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器件捷径:
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