GaAIAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitting Diode (880 nm)
F 1047A
F 1047B
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 23 (21) mW @ 100 mA
im TOPLED
®
Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300
µm
2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
• Lieferung: vereinzelt auf Folie
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
• Diskrete Optokoppler
I
Features
• Typ. total radiant power: 23 (21) mW @ 100 mA
in TOPLED
®
package.
• Chipsize: 300 x 300 µm²
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
• Delivery: diced on foil
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
• Discrete optocouplers
Typ
Type
F 1047A
F 1047B
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1386
on request
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss
Infrared emitting die, top side cathode connection
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss,
Oberfläche aufgerauht
Infrared emitting die, top side cathode connection, surface
frosted
1
2002-02-21
F 1047A, F 1047B
Elektrische Werte
(gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
°C)
Electrical values
(measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
°C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
Sperrspannung
Reverse voltage
I
F
= 10µA
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from 90%
to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Gesamtstrahlungsfluβ
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
F 1047A
F 1047B
Temperaturkoeffizient
2)
von
λ
Temperature coefficient
2)
of
λ
I
F
= 100 mA;
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
Symbol
Symbol
min.
λ
peak
Wert
1)
Value
1)
typ.
880
max.
nm
Einheit
Unit
∆λ
100
nm
V
R
5
30
V
t
r
,
t
f
0.5/0.4
µs
V
F
Φ
e
1.55
1.8
V
10
11
TC
λ
0.25
mW
mW
nm/K
TC
V
-2
mV/K
2002-02-21
2
F 1047A, F 1047B
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
Chiphöhe
Die height
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
Symbol
Symbol
min.
0.28
0.28
Wert
Value
typ.
0.3
0.3
48
190
132
max.
0.32
0.32
mm
mm
mm
µm
µm
Einheit
Unit
L
x
L
y
D
H
d
Bezeichnung
Parameter
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Trennverfahren
Dicing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Wert
Value
Aluminium
Aluminum
Goldlegierung
Gold alloy
Sägen
Sawing
Kleben
Epoxy bonding
2002-02-21
3
F 1047A, F 1047B
f
Grenzwert
3)
(gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,T
A
= 25°C)
Maximum Ratings
3)
(measured on TO18 header without resin, T
A
= 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperature range
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
Maximaler Stoßstrom
Maximum surge current
t
p
= 10 µs, D = 0.005
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
I
F
I
S
Wert
Value
- 40...+100
- 40...+100
100
2.5
Einheit
Unit
°C
°C
mA
A
2002-02-21
4
F 1047A, F 1047B
Relative Spectral Emission
2)
Ι
rel
=
f
(λ)
T
A
= 25 °C
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant Intensity
2)
Ι
100 mA =
f
(
I
F
)
e
Single pulse,
t
p
= 20
µs,
T
A
= 25 °C
10
2
Ι
e (100mA)
10
1
Ι
e
OHR00878
Ι
e
60
10
0
40
10
-1
20
10
-2
0
750
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
-3
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
Permissible Pulse Handling
Capability
2)
I
F
= f(t)
, T
A
= 25 °C
duty cycle D = parameter
Forward Current
2)
,
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs,
T
A
= 25 °C
OHR00886
OHR00881
10
4
mA
10
1
Ι
F
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
0.5
10
2
DC
t
p
Ι
F
A
10
0
10
-1
10
-2
t
p
D
=
T
1
Ι
F
T
10
-3
10
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10 s 10
t
p
1
2
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
2002-02-21
5
