MOSFET MODULE
FBA50CA45/50
FBA50CA45/50
is a dual power MOSFET module designed for fast swiching
applications of high voltage and current.
（2
devices are serial connected.） The
mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for
simple heatsink construction.
V
DSS
＝500V
●
Suitable for high speed switching applications.
●
Low ON resistance.
●
Wide Safe Operating Areas.
（Applications）
UPS
（CVCF）
Motor Control, Switching Power Supply, etc.
,
30max
i
G2
u
S2
UL;E76102 M）
（
●
I
D
＝50A,
107.5±0.6
93±0.3
4-M5
4 17 4
35±0.6
1
2
3
4
78
56
2-
φ6.5
19
19
19
TAB=110
（T0.5）
NAME PLATE
D2 S1
q
S2 D1
w e
S1
r
y
S1
t
G1
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain
Current
Source Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage（R.M.S.）
Mounting
Torque
Mass
Mounting
（M6）
Terminal（M5）
A.C. 1minute
Recommended Value 2.5-3.9（25-40）
Recommended Value 1.5-2.5（15-25）
Typical Value
Tc＝25℃
D.C.
Pulse
Conditions
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Ratings
FBA50CA45 FBA50CA50
450
±20
50
100
50
320
150
−40 to ＋125
2500
4.7（48）
2.7（28）
220
500
Unit
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
GSS
I
DSS
（BR）
V
DSS
（th）
V
GS
（on）
R
DS
（on）
V
DS
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Conditions
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝25A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
60
R
L
＝12Ω，R
GS
＝50Ω，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，R
G
＝5Ω
ーI
D
＝25A，V
GS
＝0V
ーI
D
＝25A，V
GS
＝0V，di/dt＝100A/μs
700
0.39
60
650
130
1.5
V
ns
℃/W
ns
30
10000
1900
750
450
500
1.0
5.0
120
3.0
Ratings
Min.
Typ.
Max.
±1.0
1.0
Unit
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
Item
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
FBA50CA45
Drain-Source
Breakdown Voltage
FBA50CA50
Gate-Source Threshold Voltage
Drain-Source On-State Resistance
Drain-Source On-State Voltage
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Switching
Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
gfs
Ciss
Coss
Crss
td on）
（
tr
td off）
（
tf
V
SDS
trr
Rth j-c） Thermal Resistance
（
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
31max
FBA50CA45/50
１０
０
８
０
Output Characteristics Typical）
（
Tj
25℃
Pulse Test
５
０
４
0
３
０
Forward Transfer Characteristics Typical）
（
V
DS
10V
Pulse Test
Drain Current I
D
A）
（
15V 10V
8V
6V
６
０
Drain Current I
D
A）
（
Tj
25℃
４
０
5V
２
０
１
０
０
０
２
０
０
０
V
GS
4V
２
４
６
８
１
０
１
２
３
４
５
６
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
Gate-Source Voltage V
ＧＳ
（V）
Drain-Source On-State Resistance Ｒ
Ｓ
½（Ω）
Ｄ
（½ ）
Forward Transconductance ½½
½
（S）
１０
０
５
0
Forward Transconductance Vs.
Drain Current
０３
．
Drain-Source On-State Resistance Vs.
Drain Current
Typical
Pulse Test
V
GS
10V
Tj
25℃
０２
．
Tj
２
０
V
DS
25V
Pulse Test
100℃
１
０
５
０１
．
Tj
25℃
Tj
−25℃
２
１
２
５
１
０
２
０
５
０
０
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
Ｄ
（A）
Drain CurrentＩ
Ｄ
（A）
Drain CurrentＩ
Input Capacitance, Output Capacitance,
Reverse Transfer Capacitance
（Typical）
2
１
２
０
Safe Operating Area
Pw
Capacitance Ｃ
Ｐ
）
（Ｆ
Drain Current I
D
A）
（
5
２
１
1
０
5
２
１
0
０
５
２
１
０
０
Tj
25℃
Non-Repetitive
10
0μ
s
1m
s
10
ms
D.
C.
10μ
s
１００
００
Ciss
V
GS
0V
f
1MHz
Tj
25℃
１０
００
Coss
Crss
FBA50CA45
FBA50CA50
１０
０
０
４
０
８
０
１０
２
１０
６
２０
０
２０
４
２
５
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
（V）
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
SanRex
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
FBA50CA45/50
Thermal Impedance
θ
-Ｃ
½ （℃/Ｗ）
１０
０
Forward Voltage of Free Wheeling Diode
Typical
V
GS
0V
Pulse Test
５
２
１
-１
０
５
２
１
-２
０
Transient Thermal Impedance
Max.
Max.
Source Current I（A）
S
８
０
６
０
Tj
25℃
４
０
２
０
０
０４
．
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
½½
Normalized Transient Thermal Impedanse½（ ）
Source-Drain VoltageV
ＳＤＳ
（V）
５ μ１０ ０ μ ５０ １
０ ０ μ２ ０
０μ ½ ２
½
５ ½１ ０ ０ ½ ５ ０ １
０ ０ ½２ ０
０½
２
５ １½ ２½
½ ０
０
５ １
０
５½
０
Normalized Transient Thermal Impedanse
Vs. Pulse Width
２
１
Time½
（sec）
［ ½½ ½（ ‐ ）
θ
‐ /Ｒ½½½ ½
０．
５
０
０．
２
０
０．
１
０
０．
０
５
０
D
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
５ μ ０ μ５ ０ １
０ １０ ０ μ ½
５ １ ½ ５ ½ ０ ½５ ０ １
½ ０ ０ １０ ０ ½
５１
０
（sec）
Pulse Width P
Ｗ
SanRex
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
