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FBI8J5M1-4

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Fagor Electrónica

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Fagor Electrónica
包装说明
PLASTIC PACKAGE-4
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PSFM-T4
JESD-609代码
e3
最大非重复峰值正向电流
200 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
3 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
600 V
表面贴装
NO
端子面层
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
FBI8A5M1.......FBI8M5M1
8 Amp. Glass Passivated Bridge Rectifier
Dimensions in mm.
25
3.2
Plastic
Case
3.5
Voltage
50 to 1000 V.
Current
8.0 A.
®
_
1
+ 0.05
+
• Glass Passivated Junction Chips.
L
5
5
5
suffix
–4
1
0.7
•
UL recognized under component index file
•
•
•
•
•
number E130180.
Lead and polarity identifications.
Case: Molded Plastic.
Ideal for printed circuit board (P.C.B.).
High surge current capability.
The plastic material carries U/L recognition 94 V-O.
17.5
8
• Mounting Instructions
•
High temperature soldering guaranteed: 260 ºC – 10 sc.
•
Recommended mounting torque: 8 Kg.cm.
Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
FBI8A
5M1
FBI8B
5M1
100
70
FBI8D FBI8G
5M1
5M1
200
140
400
280
FBI8J FBI8K FBI8M
5M1 5M1
5M1
600
420
800
560
1000
700
V
RRM
V
RMS
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
DIS
T
j
T
stg
Peak recurrent reverse voltage (V)
Maximum RMS voltage (V)
Max. Average forward current with heatsink
without heatsink
8.3 ms. peak forward surge current
(Jedec Method)
50
35
8.0 A at 100 ºC
3.0 A at 40 ºC
200 A
166 A
2
sec
1500 V
– 55 to + 150 °C
– 55 to +150 ºC
Rating for fusing ( t<8.3 ms.)
Dielectric strength
(terminals to case, AC 1 min.)
Operating temperature range
Storage temperature range
Electrical Characteristics at Tamb = 25°C
V
F
I
R
R
th (j-c)
R
th (j-a)
Max. forward voltage drop per element at I
F
= 8 A
Max. reverse current per element at V
RRM
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
Junction-Case. With Heatsink.
Junction-Ambient. Without Heatsink.
1.0 V
5 A
2.2 ºC/W
22 ºC/W
Jan - 00
FBI8 - 5M1
Characteristic Curves
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
Tamb = 25° C
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
10
8
heatsink
Tc
Tc
_
+
6
1.0
on glass-epoxi substrate
sine wave
R-load
on heatsink
4
0.1
2
_
+
P.C.B.
soldering land 5 mm ø
sine wave
R-load
free in air
0
0.6
1.0
1.4
V
F
, instantaneous forward voltage (V)
0
0
25
50
75 100 125 150 175
Tamb, ambient temperature (°C)
MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
200
150
100
50
0
1
10
Number of cycles at 60 Hz.
100
Jan - 00
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参数对比
与FBI8J5M1-4相近的元器件有：PTN0805E2180DSWS、FBI8A5M1-4、FBI8B5M1-4、FBI8D5M1-4、FBI8K5M1、FBI8K5M1-4、FBI8M5M1-4。描述及对比如下：
型号 FBI8J5M1-4 PTN0805E2180DSWS FBI8A5M1-4 FBI8B5M1-4 FBI8D5M1-4 FBI8K5M1 FBI8K5M1-4 FBI8M5M1-4
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 RESISTOR, THIN FILM, 0.2 W, 0.5 %, 25 ppm, 218 ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 SMT, 0805 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 PLASTIC PACKAGE-4 R-PSFM-T4 PLASTIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code unknown compliant unknown unknown unknown unknown unknown unknown
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
端子数量 4 2 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 155 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形式 FLANGE MOUNT SMT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
表面贴装 NO YES NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier TIN TIN TIN TIN TIN TIN
厂商名称 Fagor Electrónica - Fagor Electrónica Fagor Electrónica Fagor Electrónica Fagor Electrónica Fagor Electrónica Fagor Electrónica
针数 4 - 4 4 4 4 4 4
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 200 A - 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 4 - 4 4 4 4 4 4
相数 1 - 1 1 1 1 1 1
最大输出电流 3 A - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V - 50 V 100 V 200 V 800 V 800 V 1000 V
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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