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FCH041N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:

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器件:FCH041N65F-F085

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
41 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
304nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13566pF @ 25V
功率耗散(最大值)
595W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
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器件捷径:
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