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FDR8308P

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:

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器件:FDR8308P

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
19nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1240pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,鸥翼
供应商器件封装
SuperSOT™-8
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器件捷径:
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