首页 > 器件类别 > 无线/射频/通信 > 射频和微波

FP3032

RF AMPLIFIER MODEL

器件类别:无线/射频/通信    射频和微波   

厂商名称:API Technologies

厂商官网:http://www.apitech.com/about-api

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
API Technologies
Reach Compliance Code
compli
其他特性
I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造
COMPONENT
增益
16 dB
最大输入功率 (CW)
13 dBm
最大工作频率
400 MHz
最小工作频率
100 MHz
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-55 °C
射频/微波设备类型
WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比
2
参数对比
与FP3032相近的元器件有:BX3032、TM3032、TN3032。描述及对比如下:
型号 FP3032 BX3032 TM3032 TN3032
描述 RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL
厂商名称 API Technologies API Technologies API Technologies -
Reach Compliance Code compli compli compli -
其他特性 I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM -
构造 COMPONENT COAXIAL COMPONENT -
增益 16 dB 16 dB 16 dB -
最大输入功率 (CW) 13 dBm 13 dBm 13 dBm -
最大工作频率 400 MHz 400 MHz 400 MHz -
最小工作频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER -
最大电压驻波比 2 2 2 -
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消