S=W
RoH
C - L - Pi TYPES
CELLULE en C - L - Pi
Versions
Number of pins
A
Housing
dimensions
B
C
D
I1 - E2 - E3
1 to 19
E5
1 to 9
30
15,6
2,74
25
E6
10 to 15
39
23,8
2,74
33
E7
16 to 25
53
37
2,74
47
Versions
Nombres de broches
A
Dimensions
du
boîtier
B
C
D
I1 - E2 - E3
1 à 19
E5
1à9
30
15,6
2,74
25
E6
10 à 15
39
23,8
2,74
33
E7
16 à 25
53
37
2,74
47
HOW TO ORDER
Pi, C
or
L
types filters
Multiple point feed through filters
Number of pins
Specification reference
or capacitance value in code
Pin terminals
Rated voltage ( Vdc )
EXEMPLE DE CODIFICATION A LA COMMANDE
Filtre à cellule de type :
Pi, C
ou
L
Filtre de traversée multiples
Nombre de broches
N° d’ordre de spécification
ou valeur de capacité C
R
en code
Raccordement par broches
Tension nominale
V
CC
W
: RoHS
W
: RoHS
–
Mounting type :
I1
: ISO Thread
E2
: Round base
E3
: Square base
E5
: Rectangular base of 1 to 9 pins
E6
: Rectangular base of 10 to 15 pins
E7
: Rectangular base of 16 to 25 pins
–
Type de fixation :
I1
: Filetage ISO
E2
: Embase ronde
E3
: Embase carrée
E5
: Embase rectangulaire pour 1 à 9 broches
E6
: Embase rectangulaire pour 10 à 15 broches
E7
: Embase rectangulaire pour 16 à 25 broches
Terminal type :
M
: Pins male
F
: Pins female
MF
: Pins male/female (input/output)
FM
: Pins female/male (input/output)
Type de connexion :
M
: Broches mâles
F
: Broches femelles
MF
: Broches mâles/femelles (entrée/sortie)
FM
: Broches femelles/mâles (entrée/sortie)
76
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TECHNOLOGY
Multilayer monolithic discoidal
multi-capacitors associated
with an inductance
Silver plated housing
Resin sealed
Inductor positioned at Input
or Output (Type L)
Number of points : 1 to 25 (see page 76)
Terminals : male or female, gold plated
Mounting by nut or screw (see page 76)
TECHNOLOGIE
Multicondensateurs discoïdes multicouches
à diélectrique céramique associables
avec une inductance
Boîtier métallique argenté
Obturation par résine
Position de l’inductance côté Entrée ou Sortie (cellule
en L)
Nombre de voies de 1 à 25 (voir page 76)
Sorties par broches dorées mâles ou femelles
Fixation par écrou ou par vis (voir page 76)
E (Input)
S (Output)
WORKING CONDITIONS
Temperature range : 55°C 125°C
Cellule en Pi
Pi type
CONDITIONS D’UTILISATION
Gamme de températures :
55°C
125°C
S (Sortie)
E (Entrée)
MOUNTING PRECAUTIONS
Soldering temperature : 275°C ±
5°C
Soldering time : 6 s
Soldering iron dissipation : 50 W
PRÉCAUTIONS DE MONTAGE
Température de soudage : 275°C ±
5°C
Temps de soudage : 6 s
Puissance du fer à souder : 50 W
Cellule en L
L type
Inductance en sortie
Output inductor
MARKING
EFD
Complete type details
Date-code
E (Entrée)
S (Sortie)
MARQUAGE
EFD
Désignation complète
Date-code
L TYPE
Number
(specification ref.)
Maximum
permissible
current
(A)
10
10
Cellule en L
L type
Inductance en entrée
Input inductor
CELLULE en L
1
MHz
10
7
7
U
R
Rated
voltage
(–55°C +85°C)
V
DC
100
100
Voltage
rating
at +125°C
V
DC
100
100
100
Minimum
insulation
resistance
(MΩ)
1000
10000
1000
Maximum
series resistance
Input Output
(mΩ)
10
10
10
047
057
Attenuation at 50 Ω
(With full loaded/rated current as per MIL STD 202 E)
5
10
50
100
500
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
24
30
44
50
62
21
21
27
27
38
38
43
54
1
GHz
70
60
067
10
200
These filter configurations are given as examples
Ces configurations de filtres sont données pour exemple
43
52
55
Withstand voltage at 20°C : 2 U
R
Tension de tenue à 20°C : 2 U
R
Pi TYPE
001
007
*
008
011
*
013
*
014
*
026
028
029
*
036
041
042
044
045
046
060
Numéro
(spécification)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
Intensité
maximale
admissible
(A)
200
500
200
200
200
100
100
200
350
200
50
100
50
100
200
200
Tension
nominale U
R
(–55°C +85°C)
V
CC
100
300
100
100
100
70
70
100
350
200
50
100
50
100
200
100
Tension
de catégorie U
à +125°C
V
CC
10000
10000
10000
10000
10000
5000
3000
10000
10000
10000
5000
10000
10000
10000
10000
10000
Résistance
d’isolement
minimale
(MΩ)
15
20
30
15
15
15
15
15
10
15
10
10
30
30
30
15
Résistance série
maximale
Entrée Sortie
(mΩ)
–
–
–
–
–
15
10
–
–
–
10
–
10
–
–
–
1
MHz
2
10
21
13
–
47
30
–
–
–
29
–
29
–
–
4
5
MHz
10
15
29
20
20
60
38
10
5
8
38
20
38
19
8
10
10
MHz
37
50
54
52
52
71
64
38
33
38
57
55
57
55
38
27
50
MHz
CELLULE en Pi
49
65
65
65
65
75
75
50
45
50
65
70
65
70
50
48
100
MHz
74
69
68
65
68
–
75
75
63
61
68
70
68
70
64
74
500
MHz
–
70
70
65
70
–
75
–
70
65
70
70
70
70
70
–
1
GHz
Atténuation sur 50 Ω
(à vide selon MIL STD 202 E)
These filters are made with 13 pins
/
Ces filtres sont réalisés avec 13 broches uniquement.
*
These filter configurations are givenonlyexamples /
Ces configurations de filtres sont données pour exemples.
as
Withstand voltage at 20°C : 2 U
R
Tension de tenue à 20°C : 2 U
R
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78
General information
Généralités
1. AIM OF PROTECTIVE FILTERS IN MODERN ELECTRONICS
Interferences were often linked to radioelectric disturbances phenome-
non, however the quick Electronics evolution in the industrial environ-
ment has clearly changed this idea.
The influence of disturbances does not only involve listeners of radio-
phonic transmission, but also industrial technicians.
This phenomenon will increase with the evolution of technology,
Both as regards to the elements of disturbance and the elements subjec-
ted to disturbance.
A - Elements of disturbance
1. RÔLE DES FILTRES DE PROTECTION DANS L’ÉLECTRONIQUE
Les éléments perturbateurs génèrent des parasites. Les éléments per-
turbés sont génés dans leur fonctionnement par les parasites.
Le rôle des filtres est de :
•
Limiter l’émission de parasites par les perturbateurs.
•
Protéger les éléments susceptibles
Les filtres antiparasites contribuent ainsi à la compatibilité électromagné-
tique (CEM) c’est-à-dire à la bonne cohabitation d’éléments perturbateurs
et d’éléments susceptibles.
A - Éléments perturbateurs
•
Power control devices ( transistors , thyristors).
•
Automation of equipment (mechanization, robotics…).
•
Switch Mode Power Supplies
B - Disturbed elements
•
Puissances électriques de commande à base de thyristors (alimen-
tation à découpage...).
•
Automatismes (mécanisation, robotique…).
•
Émetteurs radiofréquence.
•
Amélioration des vitesses de coupure d’où des variations de cou-
rant di/dt de plus en plus élevées.
•
Semiconductor devices,( for example, 20 pJ are adequate to change
the state of a TTL circuit).
•
Balais de contacts (moteurs électriques).
B - Éléments susceptibles
•
Test equipment (reduction of detection levels on various electrical
parameters)
Thus it seems that in the course of time :
– disturbing elements will be more numerous and more aggressive,
– disturbed elements will be more sensitive and vulnerable.
The diagram below shows the probability of the appearance of a parasite
with an indication of the power sources at risk and the ranges of fre-
quency in question.
•
Composants semi-conducteurs (par exemple, 20 picojoules suffi-
sent pour faire changer d’état un circuit TTL).
•
Accroissement des sensibilités des systèmes de mesure, diminu-
tion des niveaux détectables et quantifiables des divers paramè-
tres électriques.
Le diagramme ci-dessous indique la probabilité d’apparition d’un parasite
pour différents types d’éléments perturbateurs avec indication des puis-
sances mises en jeu et des gammes de fréquence concernées.
Power sources at risk /
Puissances mises en jeu
F
30 MHz
kW
Storm /
Orage
Short circuit /
Court-circuit
F
30 MHz
Harmonics and HF interference mainly
between 10 kHz and 1 MHz.
Mainly harmonic sectors
Strong HF ghosting
Very extensive frequency ranges
Rectifier systems /
Systèmes redresseurs
W
Switching systems, commutation media /
Systèmes d’enclenchement et de coupure, organes de commutation
Rotating machines /
Machines tournantes
Regulators /
Régulateurs
Corona effect /
Effet corona
Harmoniques secteurs et parasites HF
principalement entre 10 kHz et 1 MHz
Harmoniques secteurs principalement
Spectre HF très important
Gammes de fréquences très étendues
Range µV/cm
0,1 MHz F 10 GHz
mW
Cosmic radiations /
Rayonnement cosmique
Solar radiation /
Rayonnement solaire
Galactic
radiation /
Rayonnement galactique
Quelques µV/cm
0,1 MHz F 10 GHz
Probability of appearance
Probabilité d’apparition
6
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General information
Généralités
1.1. Forms of electrical disturbances
Parasitic disturbances manifest themselves in the form of :
•
electrical field,
•
magnetic field,
•
electromagnetic field,
•
HF voltage,
•
HF current,
•
microswitching on the network,
•
harmonics.
1.2. Modes of transmission
The following distinctions may be made :
•
Transmission by coupling (essentially electrical or electronic func-
tions carried out by components of a given system) :
– resistive coupling,
– capacitive coupling,
– inductive coupling.
1.1. Formes des perturbations électriques
Les perturbations parasites se manifestent sous forme de :
•
champ électrique,
•
champ magnétique,
•
champ électromagnétique,
•
courant haute fréquence,
•
tension haute fréquence,
•
microcoupures sur le réseau,
•
harmoniques.
1.2. Modes de transmission
On peut distinguer :
•
Les transmissions par couplage (essentiellement de fonctions
électriques ou électroniques réalisées par des composants dans
un système donné) :
– couplage résistif,
– couplage capacitif,
– couplage inductif.
•
Les transmissions par rayonnement électroma-
gnétique (perturbations extérieures au système).
Equipment
Equipement
Ces modes de transmissions se traduiront par
l’apparition de courants parasites :
– en mode différentiel (ou symétrique). Le
courant parasite circule entre les 2 fils
d’alimentation.
•
Transmission through electromagnetic
radiation (external disturbances to the
system). These are transmitted by the
appearance of parasitic currents :
I
I
– in differential mode (or symmetrical mode) the
parasitic current circulates between the two
supply leads.
Differential mode /
Mode différentiel
I
I
Equipment
Equipement
– in common or asymmetric mode the parasitic
current circulates between the supply leads
and earth.
Common mode /
Mode commun
– en mode commun (ou asymétrique). Le
courant parasite circule entre les fils
d’alimentation et la masse (ou terre).
Supply network
Réseau d’alimentation
Parasites
Parasites
M
Example of resistive (galvanic) coupling.
Parasites
Parasites
Equipment
Equipement
Exemple de couplage résistif (galvanique).
M
Equipment
Equipement
Signal transmission line
Ligne de transmission
d’informations
i=C
dv
dt
Example of capacitive coupling.
Exemple de couplage capacitif.
Power
circuit
Organe de
puissance
Electronic
equipment
Equipement
électronique
Magnetic field
Champ magnétique
Signal transmission line
Ligne de transmission
d’informations
Example of inductive coupling.
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Exemple de couplage inductif.
7
General information
Généralités
1.3. Propagation media
1.3.1. Supply circuits
1.3. Chemins de propagations
1.3.1. Circuits d’alimentation
The mains supply grid may conduct high level parasites at high frequency
which easily by-pass transformers or rectifier circuits, and remain harm-
ful.
Le réseau de distribution électrique « secteur » peut conduire des para-
sites de haut niveau et de fréquence élevée qui franchiront facilement
les transformateurs, les circuits de redressement, sans perdre de façon
notable leur nocivité.
1.3.2. Circuits d’entrée
1.3.2. Input circuits
Due to their function these circuits are the most sensitive to interference
by parasites. They are made to receive signals which may be of various
origins and long distance.
The quality of the final expected result is mainly related to the specificity
of the input signal or, more exactly, the signal/noise ratio.
1.3.3. Output circuits
Par leur fonction, ces circuits sont plus susceptibles d’être perturbés par
des parasites. Ils sont destinés à recevoir des informations dont les ori-
gines géographiques peuvent être variées et lointaines.
La qualité du résultat final souhaité sera fonction, en grande partie, de la
spécificité du signal d’entrée ou plus exactement du rapport signal/bruit.
1.3.3. Circuits de sortie
Transistors behave as quad poles for which the input-output interaction
(h21 component) is not negligible in the system. Moreover, the general
use of monolithic circuits entails on the one hand an increased risk of
coupling as a result of higher levels of integration, whilst on the other
hand their sensitivity makes them less shockproof.
Les transistors se comportent comme des quadripôles pour lesquels les
interactions sortie-entrée (composante h21) ne sont pas systématique-
ment négligeables. De plus, l’utilisation généralisée des circuits monoli-
thiques entraîne, d’une part, l’augmentation des risques de couplage en
fonction des niveaux d’intégration de plus en plus élevés et, d’autre part,
leur sensibilité les rend de plus en plus « traumatisables ».
1.3.4. Circuits de terre
1.3.4. Earthed Circuits
The existence of an earthed circuit connected to the ground by several
points may involve the generation of interference currents arising from the
phenomena of induction and telluric current.
The fundamental point is the existence of an equipotential of the earthed
circuit as nearly perfect as possible. As far as the parasite is concerned,
it scarcely matters that there is an earth connection, but if this is neces-
sary it is preferable that this effected at a single point.
L’existence d’un circuit de masse relié à la terre par plusieurs « puits »
peut entraîner la génération de courants perturbateurs liés à des phéno-
mènes d’induction ou au courant tellurique.
Le point fondamental est l’existence d’une équipotentialité du circuit de
masse aussi parfaite que possible. Du point de vue parasite, peu importe
qu’il y ait liaison avec la terre : en cas de nécessité autre, de façon préfé-
rentielle, celle-ci devra être réalisée en un point unique.
1.4. Protection media
Two kinds of protection may be used :
1.4. Moyens envisageables de protection
On peut envisager deux sortes de protection :
•
The first acts at interference level so as to reduce its power (active
protection).
•
La première agit au niveau du perturbateur de façon à réduire sa
puissance (protection active).
This may be done by :
– filtering the power supply and/or signals,
– protecting inductive circuits,
– shielding cabinets and cables.
– taking account EMC design rules when conception.
Elle peut s’effectuer par :
– filtrage des alimentations et/ou des signaux,
– protection des circuits de nature selfique,
– blindage des armoires et des câbles.
– prise en compte des règles CEM lors de la conception.
•
The second is placed at the level of the disturbed element (passive
protection).
•
La seconde est située au niveau de l’élément perturbé (protection
passive).
This may be effected by :
– filtering the power supply and/or signals,
– decoupling inputs/outputs,
– screening cabinets and cables.
Elle peut s’effectuer par :
– filtrage des alimentations et/ou des signaux,
– découplage des entrées et des sorties,
– blindage des armoires et des câbles.
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