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G5365P-3

MASK ROM, 8KX8, 300ns, CMOS, PDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GTE Microcircuits

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
GTE Microcircuits
包装说明
DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
300 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
MASK ROM
内存宽度
8
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与G5365P-3相近的元器件有:G5364D-3、G5364D-4、G5365D-3、G5365D-4。描述及对比如下:
型号 G5365P-3 G5364D-3 G5364D-4 G5365D-3 G5365D-4
描述 MASK ROM, 8KX8, 300ns, CMOS, PDIP28 MASK ROM, 8KX8, 300ns, CMOS, CDIP24 MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, CDIP24 MASK ROM, 8KX8, 300ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, CDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GTE Microcircuits GTE Microcircuits GTE Microcircuits GTE Microcircuits GTE Microcircuits
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP24(UNSPEC) DIP, DIP24(UNSPEC) DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 300 ns 300 ns 450 ns 300 ns 450 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
端子数量 28 24 24 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP24(UNSPEC) DIP24(UNSPEC) DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
端子节距 2.54 mm - - 2.54 mm 2.54 mm
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