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G615CCHIP

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 15pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Msi Electronics Inc

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Msi Electronics Inc
包装说明
X-XUUC-N
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW INDUCTANCE
最小击穿电压
25 V
配置
SINGLE
二极管电容容差
2%
最小二极管电容比
2
标称二极管电容
15 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带
VERY HIGH FREQUENCY TO S BAND
JESD-30 代码
X-XUUC-N
元件数量
1
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
UNSPECIFIED
封装形式
UNCASED CHIP
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
600
最大重复峰值反向电压
25 V
最大反向电流
5e-7 µA
反向测试电压
20 V
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
变容二极管分类
ABRUPT
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