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器件类别
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分立半导体
>
二极管
GC1708E
Variable Capacitance Diode, 3.9pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt
器件类别:
分立半导体
二极管
厂商名称:
Msi Electronics Inc
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参数
预览
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
O-CEMW-N2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
60 V
配置
SINGLE
二极管电容容差
10%
最小二极管电容比
6
标称二极管电容
3.9 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码
O-CEMW-N2
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
MICROWAVE
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
1050
最大重复峰值反向电压
60 V
最大反向电流
2e-8 µA
反向测试电压
55 V
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
END
变容二极管分类
ABRUPT
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