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GL1J

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
1 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-213AA

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:SEMIKRON

厂商官网:http://www.semikron.com

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器件:GL1J

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SEMIKRON
零件包装代码
DO-213AA
包装说明
O-PELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码
DO-213AA
JESD-30 代码
O-PELF-R2
JESD-609代码
e2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-50 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
600 V
最大反向恢复时间
1.5 µs
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
GL 1A...GL 1M
Surface mount diode
Standard silicon rectifier
diodes
GL 1A...GL 1M
Forward Current: 1 A
Reverse Voltage: 50 to 1000 V
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Features
Characteristics
Symbol Conditions
Values
Units
Mechanical Data
Dimensions in mm
1)
2)
3)
4)
1
25-03-2004 SCT
© by SEMIKRON
GL 1A...GL 1M
Fig. 1 Forward characteristic ( typical values )
Fig. 2 Rated forward current vs. temp. of the terminals
4
)
2
25-03-2004 SCT
© by SEMIKRON
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参数对比
与GL1J相近的元器件有:GL1A、GL1B、GL1D、GL1G、GL1K、GL1M。描述及对比如下:
型号 GL1J GL1A GL1B GL1D GL1G GL1K GL1M
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
零件包装代码 DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA
包装说明 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
针数 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA
JESD-30 代码 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 50 V 100 V 200 V 400 V 800 V 1000 V
最大反向恢复时间 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs 1.5 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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器件捷径:
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