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GM23C4100-20

MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Goldstar Electron Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
200 ns
备用内存宽度
16
JESD-30 代码
R-PDIP-T40
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
MASK ROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
40
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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参数对比
与GM23C4100-20相近的元器件有:GM23C4100-15、GM23C4100Q-20、GM23C4100Q-15。描述及对比如下:
型号 GM23C4100-20 GM23C4100-15 GM23C4100Q-20 GM23C4100Q-15
描述 MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PQFP44, MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PQFP44,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 200 ns 150 ns 200 ns 150 ns
备用内存宽度 16 16 16 16
JESD-30 代码 R-PDIP-T40 R-PDIP-T40 S-PQFP-G44 S-PQFP-G44
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 40 40 44 44
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD
厂商名称 Goldstar Electron Co Ltd - Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd
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