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GM23V8000A-25

MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP32,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Goldstar Electron Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
250 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
MASK ROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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参数对比
与GM23V8000A-25相近的元器件有:GM23V8000A-30、GM23V8000AFW-30、GM23V8000AFW-20、GM23V8000AFW-15、GM23V8000A-20、GM23V8000AFW-25、GM23V8000A-15。描述及对比如下:
型号 GM23V8000A-25 GM23V8000A-30 GM23V8000AFW-30 GM23V8000AFW-20 GM23V8000AFW-15 GM23V8000A-20 GM23V8000AFW-25 GM23V8000A-15
描述 MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP32, MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP32, MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO32, MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32, MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDSO32, MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32,
厂商名称 Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 250 ns 300 ns 300 ns 200 ns 150 ns 200 ns 250 ns 150 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO YES YES YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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