桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM6411
SCHOTTKY DIODE
肖特基二極管
▉
FEATURES
特點
Characteristic
特性參數
Power dissipation
耗散功率
Forward Current
正向電流
Reverse Voltage
反向電壓
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
▉
DEVICE
Symbol
符號
P
D
(Ta=25
℃
)
I
F
V
R
T
J
,
T
stg
Max
最大值
225
500
20
Unit
單½
mW
mA
V
125℃,
-40to+150
℃
MARKING
打標
GM6411=D2E
·
▉
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
)
(T
A
=
25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage
反向擊穿電壓
(IR=600uA)
Reverse Leakage Current
反向漏電流
(VR=20V)
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
I
F
= 10mAdc
I
F
= 50mAdc
I
F
= 100mAdc
I
F
=500mAdc
Diode Capacitance
二極體電容
(V
R
=10V, f=1MHz)
▉
SOT-23
内部结构
1
Symbol
符號
V
(BR)
I
R
Min
最小值
20
—
Max
最大值
—
50
230
280
320
480
20
Unit
單½
V
uA
V
F
—
C
D
—
mV
pF
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM6411
■
DIMENSION
外½封裝尺寸
