GM71C16400AJ-8,GM71C16400AJ-8 pdf中文资料,GM71C16400AJ-8引脚图,GM71C16400AJ-8电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与GM71C16400AJ-8相近的元器件有：GM71C16400AT-8、GM71C16400AJ-7、GM71C16400AT-7、GM71C16400AR-7、GM71C16400AT-6、GM71C16400AR-6、GM71C16400AJ-6、GM71C16400AR-8。描述及对比如下：

型号	GM71C16400AJ-8	GM71C16400AT-8	GM71C16400AJ-7	GM71C16400AT-7	GM71C16400AR-7	GM71C16400AT-6	GM71C16400AR-6	GM71C16400AJ-6	GM71C16400AR-8
描述	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24,	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	80 ns	70 ns	70 ns	70 ns	60 ns	60 ns	60 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP	SOJ	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	SOJ	TSOP
封装等效代码	SOJ24/26,.34	TSOP24/26,.36	SOJ24/26,.34	TSOP24/26,.36	TSOP24/26,.36	TSOP24/26,.36	TSOP24/26,.36	SOJ24/26,.34	TSOP24/26,.36
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.065 mA	0.065 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	LG Semicon Co Ltd	-	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd

请问这个电路正负偏压是如何产生的？: 如图，是LCD的电压产生电路，想请教这个电路是如何工作的，实测VGL和VGH分别为-19V、+19...; elec32156 模拟电子

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安波福利用人工智能助力手势识别技术研发

据外媒报道，安波福致力于利用人工智能技术来驱动智能方案，如：为驾驶员提供终极车载（功能服务）体验（ultimate in-car experience）。公司致力于打造部分复杂级较高的建模，需要借助深度学习及神经元网络“教会”人工智能，使其不断取得进步并提升测试效果，甚至采取全天候（in 24/7 mode）测试。随着参数数量的增多及建模复杂性的提升，研究人员变得愈发难以追踪所有的依赖关...[详细]
谷歌宣布公有云平台将支持面向人工智能的TPU芯片

　　谷歌今天宣布向其公有云平台上增加ensor Processing Units，这是一款专门为人工智能工作负载提供动力的内部设计的芯片系列。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。谷歌宣布公有云平台将支持面向人工智能的TPU芯片　　一个 TPU (如图所示)由四个专用集成电路组成，配有64GB的“超高带宽”内存。这一组合单元可以提供高达180 teraflops的性能。...[详细]
NEC电子推出新款主机控制芯片

2008年4月7日， NEC电子于日前完成了可实现USB无线化的主机控制芯片“μPD720171”的开发，并于即日起开始发售样品。同时，NEC电子还可以为用户提供参考设计的设计信息以及设备驱动软件，使用户的硬件开发更简单。此次推出新产品是集成在电脑主机上，通过无线USB设备与硬盘、鼠标等周边设备进行无线通信的主机控制芯片产品。新产品的最大特点是...[详细]
台积电磁吸效应... 多家半导体宣布在南科投资

台积电承诺会在南科投资逾六千亿元兴建三奈米新厂，而且未来五年的资本支出，将以百分之五到十的幅度成长。台积电供应链推估，以台积电资本支出的规模，未来五年都会维持在百亿美元之上，估计五年将花费高达一点八兆元在设备、材料和相关无尘室和环保回收设备的投资，将吸引全球顶尖半导体设备和材料厂向台湾靠拢，形成一股强而有力的新聚落。台积电张忠谋宣布退休后接受外电访问时表示，三奈米新厂投资金额将会超过两百亿美...[详细]
英特尔携联想K900展示全新双核凌动平台

世界移动通信大会，西班牙巴塞罗那，2013年2月25日——英特尔公司今天面向高性能和主流智能手机市场，发布了基于双核英特尔®凌动™处理器的平台（研发代号：Clover Trail+），提供双倍计算性能和三倍图形功能以及有竞争力的电池续航时间。采用32纳米制程工艺的双核英特尔®凌动™处理器包括Z2580、Z2560、Z2520，主频分别可达2.0 GHz、1.6 GHz和1.2GHz。该处理...[详细]
钽电解电容是什么，有什么作用

固体钽电容器是1956年由美国贝乐试验室首先研制成功的，它的性能优异，是所有电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样，并容易制成适于表面贴装的小型和片型元件。适应了目前电子技术自动化和小型化发展的需要。虽然钽原料稀缺，钽电容价格较昂贵，但由于大量采用高比容钽粉（30KuF.g-100KuF.V/g)，加上对电容器制造工艺的改进和完善，钽电解电容器还是得到了迅速的发展，使用范围...[详细]
基于LabVIEW和Matlab混合编程的小波去噪方法

0 引言信号降噪是信号处理领域的经典问题之一。传统的降噪方法主要包括线性滤波方法和非线性滤波方法，滤波器在工作时对信号进行筛选，只让特定频段的信号通过。当信号中的有用成分和噪声成分各占不同频带，可以将噪声成分有效除去。但如果信号和噪声的频谱重叠，则经典滤波器将不起作用。这些滤波器按滤波的频段可分为高通、低通及带通滤波器，根据设计滤波器的思想可以把滤波器分为巴特沃斯滤波器、贝塞尔滤波器、椭...[详细]
Mini2440的LCD配置分析

用的是W35屏，就把W35的驱动摘出来说： #elif defined(CONFIG_FB_S3C2410_W320240) #define LCD_WIDTH 320 #define LCD_HEIGHT 240 #define LCD_PIXCLOCK 170000 #define LCD_RIGHT_MARGIN 0x44 #define LCD_LEFT_MARGIN ...[详细]
FPGA设计小Tips：如何正确使用FPGA的时钟资源

把握DCM、PLL、PMCD和MMCM知识是稳健可靠的时钟设计策略的基础。赛灵思在其FPGA中提供了丰富的时钟资源，大多数设计人员在他们的FPGA设计中或多或少都会用到。不过对FPGA设计新手来说，什么时候用DCM、PLL、PMCD和MMCM四大类型中的哪一种，让他们颇为困惑。赛灵思现有的FPGA中没有一款同时包含这四种资源(见表1)。这四大类中的每一种都针对特定的应用。例如，数字...[详细]
未来5年芯片技术探讨

电子网消息（编译/丹阳）近日半导体行业相关人士坐下来探讨了关于未来5年芯片技术的发展前景，格局变化，新技术材料引进以及规划。参加本次交流会的有：Lam Research首席技术官Rick Gottscho，GlobalFoundries先进模块工程副总裁Mark Dougherty，KLA-Tencor的技术院士David Shortt，ASML计算光刻产品副总裁Gary Zhang，Nova ...[详细]
一种便携式多参数环境监测仪器的设计

本文以智能建筑为应用背景，介绍一种通用性很强的便携式多参数环境监测仪。它以ＭＳＰ４３０Ｆ４３７超低功耗单片机为核心，配置新式的微型低功耗传感器，实现了建筑物内温度、湿度、光照度、有害气体浓度等参数的采集处理、存储、通信等功能。文中详细阐明了传感器的选取、硬件结构、软件流程等相关技术，并指出该仪器的特点和优势。１传感器的选取传感器是决定监测仪精度的关键元件。传感器的选择主要依据工作环境...[详细]
单片机乘法指令MUL举例说明

乘法指令：MUL AB 此单片机指令的功能是将A和B中的两个8位无符号数相乘，两数相乘结果一般比较大，因此最终结果用1个16位数来表达，其中高8位放在B中，低8位放在A中。在乘积大于FFFFFH（65535）时，0V置1（溢出），不然OV为0，而CY总是0。例：（A）=4EH，（B）=5DH，执行指令 MUL AB后，乘积是1C56H，所以在B中放的是1CH，而A中放的则是56H。 ...[详细]
《初学者C51自学笔记》之8X8键盘（线与和线或）

在键盘的电路中，存在这线与这玩意，线与和线或：一条线和一个开关，一端是高电平另一端是低电平，开关闭合，整条线就会变为低电平，总的来说就是存在线与的关系，只要一端是低电平闭合开关后，整条线就会拉低，这就是线与；有一端是Z（高组态），闭合开关后，另一端是高电平整条线就是高低电平，反之亦然，这就是线或；如何编程：先P3=11110000（图中从下至上11110000），假设按下S1则其高四位变为...[详细]
迷你晶圆厂横空出世芯片产业格局或生变

芯片设计重要还是制造重要，等日本的这项“黑科技”出来后或许就有答案了。横空出世的“迷你”晶圆厂我们知道，台积电最新的超大晶圆厂（GIGAFAB），每个月可生产超过10万片12寸晶圆，而每座晶圆厂造价高达3千亿新台币（约合610亿人民币）。但今年4月1日，日本推出的“迷你晶圆厂”（Minimal Fab），瞄准物联网时代小量、多样的感测器需求，起价却只要5亿日元（0.3亿元人民币）。《日经商业...[详细]
《液流电池电极用碳毡技术规范》《液流电池电极用碳毡试验方法》团体标准启动会

随着国内液流电池生产能力的提高，液流电池电极碳毡市场的需求也在逐渐增加。碳毡在电堆中非常重要，因为它直接影响到电池的性能和效率，作为液流电池的电极材料，具有高稳定性、高导电性和大的比表面积，这些特性使得碳毡能够有效地进行氧化还原反应，从而储存和释 ... ...[详细]