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GM71C4256AZ-80

Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP20,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Goldstar Electron Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
80 ns
其他特性
RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PZIP-T20
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
ZIG-ZAG
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