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GM71V65403AT-5

EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,

器件类别：存储    存储   

厂商名称：SK Hynix(海力士)

厂商官网：http://www.hynix.com/eng/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
包装说明
TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
50 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
JESD-609代码
e0
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
端子数量
32
字数
16777216 words
字数代码
16000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP32,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.19 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
文档预览
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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