桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1037AK
■
MAXIMUM
RATINGS (T
a
=25
℃
)
最大額定值
Symbol
符號
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
C
T
j
T
stg
Rating
額定值
-60
-50
-6
-150
225
150
-55〜150
Unit
單½
V
V
V
mA
mW
℃
℃
Characteristic
特性參數
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
Junction Temperature
結溫
Storage Temperature Range
儲存溫度
■
DEVICE
MARKING
打標
Q
FQ
120~270
R
FR
180~390
S
FS
270~560
GMA1037AK
MARK
H
FE
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CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25℃)
■
ELECTRICAL
Characteristic
特性參數
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Symbol Test Condition Min
Typ
Max
Unit
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值 單½
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CBO
V
CB
=-60V,
I
E
=0
V
EB
=-6V,
I
C
=0
I
C
=-50μA
—
—
-60
—
—
—
-0.1
-0.1
—
μA
μA
V
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
Transition Frequency
特徵頻率
Collector Output Capacitance
輸出電容
V
(BR)CEO
I
C
=-1.0mA
-50
—
—
V
V
(BR)EBO
I
E
=-50μA
V
CE
=-6V,
I
C
=-1mA
I
C
=-50mA,
I
B
=-5mA
V
CE
=-12V,
I
C
=-2mA,
f=100MHz
V
CB
=-12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
-6
—
—
V
H
FE
120
—
560
—
V
CE(sat)
—
—
-0.5
V
f
T
—
140
—
MHz
C
ob
—
4.0
5.0
pF
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■
DIMENSION
外½封裝尺寸
