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GMBTA93

500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
500 mA, 300 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:GSME Electronics

厂商官网:Http://www.gsme.com.cn

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
3
晶体管极性
PNP
最大集电极电流
0.5000 A
最大集电极发射极电压
300 V
无铅
Yes
状态
ACTIVE
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
GULL WING
端子涂层
MATTE 锡
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
单一的
元件数量
1
晶体管应用
放大器
晶体管元件材料
晶体管类型
通用小信号
最小直流放大倍数
25
额定交叉频率
50 MHz
文档预览
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA92 (销售型號 MMBTA92) GMBTA93(销售型號 MMBTA93)
FEATURES
特點
PNP High Voltage Transistor
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Ic
GMBTA92
-300
-300
-6.0
-500
GMBTA93
-200
-200
-6.0
-500
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極-射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極-極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極基極電壓
Collector Current-Continuous
集極電流-連續
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation
½耗散功率
FR-5 Board(1)
T
A
=
25℃溫度爲 25℃
Derate above25℃超過 25℃遞減
Total Device Dissipation
½耗散功率
Alumina Substrate
氧化鋁襯底,(2)
T
A
=
25℃溫度爲 25℃
Derate above25℃超過 25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
DEVICE
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
225
1.8
Unit
單½
mW
mW/℃
mW
mW/℃
℃/W
P
D
300
2.4
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
417
150℃, -55to+150℃
MARKING
打標
GMBTA92
(销售型號 MMBTA92)
=2D;GMBTA93
(销售型號 MMBTA93)
=2E
GMBT
BTA92
=2D;GMBT
BTA93
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA92(销售型號 MMBTA92) GMBTA93(销售型號 MMBTA93)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
)
(T
A
=25
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25℃)
Characteristic
Symbol
Min
特性參數
符號
最小值
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=-100μAdc,I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓(I
E
=-10μAdc,Ic=0)
Emitter Cutoff Current
發射截止電流
(V
EB
=-3.0Vdc,I
c
=0)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
(V
CB
=-200Vdc,I
E
=0)
(V
CB
=-160Vdc,I
E
=0)
DC Current Gain
直流電流增益
(I
c
=-1.0mAdc,V
CE
=-10.0Vdc)
(I
c
=-10mAdc,V
CE
=-10.0Vdc)
(I
c
=-30mAdc,V
CE
=-10.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
(I
c
=-20mAdc, I
B
=-2.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極½和壓降
(I
c
=-20mAdc, I
B
=-2.0mAdc)
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積
(I
c
=-10mAdc,V
CE
=-20Vdc,f=100MHz)
Collector-Base Capacitance
輸出電容
(V
CB
=-20.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
1.FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2.Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3.Pulse
Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
V
(BR)CEO
GMBT
A92
GMBT
A93
V
(BR)CBO
GMBT
A92
GMBT
A93
V
(BR)EBO
I
EBO
I
CBO
GMBT
A92
GMBT
A93
H
FE
25
40
25
25
-300
-200
-300
-200
-5.0
__
__
Max
最大值
__
-100
-250
-250
300
__
-0.5
-0.5
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
GMBT
A92
GMBT
A93
V
CE(sat)
GMBT
A92
GMBT
A93
Vdc
V
BE(sat)
-0.9
Vdc
f
T
C
cb
GMBT
A92
GMBT
A93
50
__
__
6.0
8.0
MHz
pF
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA92(销售型號 MMBTA92) GMBTA93(销售型號 MMBTA93)
DIMENSION
外½封裝尺寸
單½(UNIT):mm
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参数对比
与GMBTA93相近的元器件有:GMBTA92、MMBTA92、MMBTA93。描述及对比如下:
型号 GMBTA93 GMBTA92 MMBTA92 MMBTA93
描述 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3 3
晶体管极性 PNP PNP PNP PNP
最大集电极电流 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A
最大集电极发射极电压 300 V 300 V 300 V 300 V
无铅 Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 放大器 放大器 放大器 放大器
晶体管元件材料
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 25 25 25 25
额定交叉频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
热门器件
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器件捷径:
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