桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMM28S
■
FEATURES
特點
High
h
FE
高放大倍數
NPN silicon
■
MAXIMUM
NPN
½管
(T
RATINGS
最大定額值(T
a
=25
℃
)
Symbol
符號
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Rating
額定值
40
20
5
1000
300
150
Unit
單½
V
V
V
mA
mW
℃
CHARACTERISTIC
特性參數
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current-Pulse
集電極電流-脉冲
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
Junction Temperature
結溫
Storage Temperature Range
儲存溫度
■
DEVICE
Ic
P
C
T
j
T
stg
-55〜150
℃
MARKING
打標
M28S=28S.
M28S=28S.
300~600 500~700 600~1200
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GMM28S
CHARACTERISTICS
電特性
T =25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25
℃ ）
（T
A
=25
noted
■
ELECTRICAL
Characteristic
特性參數
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
Symbol
符號
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
Test Condition
測試條件
V
CB
=25V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=100μA
I
C
=1mA
Min.
Typ.
Max.
最小值 典型值 最大值
—
—
100
Unit
單½
nA
nA
V
—
—
100
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40
—
—
集電極-射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
20
—
—
V
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Transition Frequency
特徵頻率
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
(BR)EBO
h
FE
f
T
I
E
=100μA
V
CE
=1V,
I
C
=100mA
V
CE
=5V,I
C
=10mA
I
C
=600mA,
I
B
=20mA
5
—
—
V
300
—
1200
—
—
120
—
MHz
集電極-發射極½和壓降
V
CE(sat)
—
—
0.55
V
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GMM28S
■
DIMENSION
外½封裝尺寸
