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GS81302Q37GE-200

SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

器件标准:

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GS81302Q37GE-200 在线购买

供应商:

器件:GS81302Q37GE-200

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA,
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
Factory Lead Time
12 weeks
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
17 mm
内存密度
150994944 bit
内存集成电路类型
QDR SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX36
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15 mm
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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