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GS832236B-166I

512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209
512K × 72 高速缓存 静态随机存储器, 6.5 ns, PBGA209

器件类别:存储   

厂商名称:ETC

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器件参数
参数名称
属性值
最大时钟频率
250 MHz
功能数量
1
端子数量
209
最小工作温度
-40 Cel
最大工作温度
85 Cel
额定供电电压
2.5 V
最小供电/工作电压
2.3 V
最大供电/工作电压
2.7 V
加工封装描述
14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
each_compli
Yes
状态
NRFND
sub_category
SRAMs
ccess_time_max
6.5 ns
i_o_type
COMMON
jesd_30_code
R-PBGA-B209
存储密度
3.77E7 bi
内存IC类型
CACHE SRAM
内存宽度
72
moisture_sensitivity_level
NOT SPECIFIED
位数
524288 words
位数
512K
操作模式
SYNCHRONOUS
组织
512KX72
输出特性
3-STATE
包装材料
PLASTIC/EPOXY
ckage_code
LBGA
ckage_equivalence_code
BGA209,11X19,40
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行
PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_
NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_
2.5/3.3
qualification_status
COMMERCIAL
seated_height_max
1.7 mm
standby_current_max
0.0800 Am
standby_voltage_mi
2.38 V
最大供电电压
0.4000 Am
表面贴装
YES
工艺
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子涂层
NOT SPECIFIED
端子形式
BALL
端子间距
1 mm
端子位置
BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_
NOT SPECIFIED
length
22 mm
width
14 mm
dditional_feature
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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