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GS8342Q08BD-250

SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 8 36M

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

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器件:GS8342Q08BD-250

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA, BGA165,11X15,40
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
Factory Lead Time
10 weeks
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
250 MHz
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
长度
15 mm
内存密度
33554432 bit
内存集成电路类型
QDR SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
165
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.205 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.665 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
13 mm
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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