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GS8342R18BD-300T

DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA, BGA165,11X15,40
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
300 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e0
长度
15 mm
内存密度
37748736 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
18
功能数量
1
端子数量
165
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2MX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.185 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
13 mm
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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