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GS840H18AT-100

256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
QFP
包装说明
LQFP, QFP100,.63X.87
针数
100
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
12 ns
其他特性
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
100 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
JESD-609代码
e0
长度
20 mm
内存密度
4718592 bi
内存集成电路类型
CACHE SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
100
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LQFP
封装等效代码
QFP100,.63X.87
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5/3.3,3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.6 mm
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
3.14 V
最大压摆率
0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
14 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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