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GS8662T18E-200I

DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
BGA
包装说明
15 X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165
针数
165
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
长度
17 mm
内存密度
75497472 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
4MX18
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15 mm
Base Number Matches
1
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