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GS882Z18AGD-225T

ZBT SRAM, 512KX18, 6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
BGA,
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
6 ns
其他特性
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
15 mm
内存密度
9437184 bit
内存集成电路类型
ZBT SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX18
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
BGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
13 mm
Base Number Matches
1
文档预览
GS882Z18/36AB/D-250/225/200/166/150/133
119 & 165-Bump BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait
Read-Write-Read bus utilization; fully pin-compatible with
both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and
ZBT™ SRAMs
• 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply
• 2.5 V or 3.3 V I/O supply
• User-configurable Pipeline and Flow Through mode
• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive
• IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan
• On-chip parity encoding and error detection
• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode
• Pin-compatible with 2M, 4M, and 8M devices
• Byte write operation (9-bit Bytes)
• 3 chip enable signals for easy depth expansion
• ZZ Pin for automatic power-down
• JEDEC-standard 119-bump BGA and 165-bump FPBGA
packages
9Mb Pipelined and Flow Through
Synchronous NBT SRAM
250 MHz–133 MHz
2.5 V or 3.3 V V
DD
2.5 V or 3.3 V I/O
Because it is a synchronous device, address, data inputs, and
read/write control inputs are captured on the rising edge of the
input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power
rail for proper operation. Asynchronous inputs include the
Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can
be used to override the synchronous control of the output
drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.
Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising
edge of the clock input. This feature eliminates complex off-
chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs
and simplifies input signal timing.
The GS882Z18/36A may be configured by the user to operate
in Pipeline or Flow Through mode. Operating as a pipelined
synchronous device, in addition to the rising-edge-triggered
registers that capture input signals, the device incorporates a
rising edge triggered output register. For read cycles, pipelined
SRAM output data is temporarily stored by the edge-triggered
output register during the access cycle and then released to the
output drivers at the next rising edge of clock.
The GS882Z18/36A is implemented with GSI's high
performance CMOS technology and is available in JEDEC-
standard 119-bump BGA and 165-bump FPBGA packages.
Functional Description
The GS882Z18/36A is a 9Mbit Synchronous Static SRAM.
GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or other
pipelined read/double late write or flow through read/single
late write SRAMs, allow utilization of all available bus
bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles
when the device is switched from read to write cycles.
Parameter Synopsis
Pipeline
3-1-1-1
3.3 V
2.5 V
Flow
Through
2-1-1-1
3.3 V
2.5 V
t
KQ
tCycle
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
t
KQ
tCycle
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133 Unit
2.5 2.7 3.0 3.4 3.8 4.0 ns
4.0 4.4 5.0 6.0 6.7 7.5 ns
280
330
275
320
5.5
5.5
175
200
175
200
255
300
250
295
6.0
6.0
165
190
165
190
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270
230
265
6.5
6.5
160
180
160
180
200
230
195
225
7.0
7.0
150
170
150
170
185
215
180
210
7.5
7.5
145
165
145
165
165
190
165
185
8.5
8.5
135
150
135
150
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mA
mA
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ns
ns
mA
mA
mA
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© 2001, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS882Z18/36AB/D-250/225/200/166/150/133
GS882Z36A Pad Out—119-Bump BGA—Top View (Package B)
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A
B
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GS882Z18/36AB/D-250/225/200/166/150/133
GS882Z18A Pad Out—119-Bump BGA—Top View (Package B)
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ZZ
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GS882Z18/36AB/D-250/225/200/166/150/133
165 Bump BGA—x18 Commom I/O—Top View (Package D)
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B
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11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
Rev: 1.04 11/2004
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GS882Z18/36AB/D-250/225/200/166/150/133
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package D)
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DQA
DQA
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C
D
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F
G
H
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K
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11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
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