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HB52F649EN-75B

512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM168
针数
168
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
4831838208 bi
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
72
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
65 °C
最低工作温度
组织
64MX72
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM168
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大待机电流
0.036 A
最大压摆率
2.25 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与HB52F649EN-75B相近的元器件有:HB52F648EN-75B。描述及对比如下:
型号 HB52F649EN-75B HB52F648EN-75B
描述 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 4831838208 bi 4294967296 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 64
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C
组织 64MX72 64MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.036 A 0.032 A
最大压摆率 2.25 mA 2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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