EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-144
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
下载文档型号 | HB56HW164DB-7BL | HB56HW164DB-6BL |
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描述 | EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-144 | EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-144 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM144,32 | DIMM, DIMM144,32 |
针数 | 144 | 144 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 70 ns | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 |
内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 144 | 144 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1MX64 | 1MX64 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM144,32 | DIMM144,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 | 4096 |
自我刷新 | YES | YES |
最大待机电流 | 0.0006 A | 0.0006 A |
最大压摆率 | 0.46 mA | 0.52 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | MOS | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |