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HB56UW272E-5

EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM168
针数
168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
50 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
150994944 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2MX72
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM168
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
25.4 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.019 A
最大压摆率
1 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
文档预览
HB56UW272E Series
2,097,152-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-727A (Z)
Rev. 1.0
Feb. 20, 1997
Description
The HB56UW272E belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been
developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The
HB56UW272E is a 2M
×
72 dynamic RAM module, mounted 9 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM51W17805) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74LVT16244) sealed
in TSSOP package. The HB56UW272E offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed
access mode. An outline of the HB56UW272E is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore,
the HB56UW272E makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB56UW272E provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted on the
module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Outline: 133.35 mm (Length)
×
25.40 mm (Height)
×
4.00 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 3.3 V (±0.3 V) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 50/60/70 ns (max)
t
CAC
= 18/20/23 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 3.60/3.28/2.95 W (max)
Standby mode (TTL): 101 mW (max)
(CMOS): 68.4 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM
EDO page mode capability
2,048 refresh cycles: 32 ms
HB56UW272E Series
2 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Ordering Information
Type No.
HB56UW272E-5
HB56UW272E-6
HB56UW272E-7
Access time
50 ns
60 ns
70 ns
Package
168-pin dual lead out socket type
Contact pad
Gold
Pin Arrangement
Front side
Back side
1 pin 10 pin 11 pin
85 pin 94 pin 95 pin
40 pin 41 pin
124 pin 125 pin
84 pin
168 pin
2
HB56UW272E Series
Pin Arrangement
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
Pin name
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
CC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
V
SS
NC
NC
V
CC
WE0
CE0
NC
RE0
OE0
V
SS
A0
A2
Pin No.
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
Pin name
V
SS
OE2
RE2
CE4
NC
WE2
V
CC
NC
NC
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
NC
NC
NC
NC
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CC
DQ32
DQ33
DQ34
Pin No.
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
Pin name
V
SS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
CC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
V
SS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
V
CC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
A1
A3
Pin No.
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
Pin name
V
SS
NC
NC
NC
NC
PDE
V
CC
NC
NC
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
NC
NC
NC
NC
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
V
CC
DQ68
DQ69
DQ70
3
HB56UW272E Series
Pin No.
35
36
37
38
39
40
41
42
Pin name
A4
A6
A8
A10
NC
V
CC
NC
NC
Pin No.
77
78
79
80
81
82
83
84
Pin name
DQ35
V
SS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0 (V
SS
)
V
CC
Pin No.
119
120
121
122
123
124
125
126
Pin name
A5
A7
A9
NC
NC
V
CC
NC
B0
Pin No.
161
162
163
164
165
166
167
168
Pin name
DQ71
V
SS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1 (V
SS
)
V
CC
Pin Description
Pin name
A0 to A10, B0
Function
Address input
Row address
Column address
Refresh address
DQ0 to DQ71
RE0, RE2
CE0, CE4
WE0, WE2
OE0, OE2
V
CC
V
SS
PD1 to PD8
ID0, ID1
PDE
NC
Data-in/data-out
Row address strobe (RAS)
Column address strobe (CAS)
Read/Write enable
Output enable
Power supply
Ground
Presence detect
ID bit
Presence detect enable
No connection
: A0 to A10, B0
: A0 to A9, B0
: A0 to A10, B0
4
HB56UW272E Series
Presence Detect Pin Assignment
PDE
= Low
Pin name
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
Note:
Pin No.
79
163
80
164
81
165
82
166
1: High level (driver output)
0: Low level (driver output)
50 ns
1
0
0
1
1
0
0
0
60 ns
1
0
0
1
1
1
1
0
70 ns
1
0
0
1
1
0
1
0
PDE
= High
All
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
5
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参数对比
与HB56UW272E-5相近的元器件有:HB56UW272E-6、HB56UW272E-7。描述及对比如下:
型号 HB56UW272E-5 HB56UW272E-6 HB56UW272E-7
描述 EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 2MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX72 2MX72 2MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO NO
最大待机电流 0.019 A 0.019 A 0.019 A
最大压摆率 1 mA 0.91 mA 0.82 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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