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HB56UW872E-6A

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM168
针数
168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
603979776 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX72
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM168
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
最大待机电流
0.019 A
最大压摆率
1.27 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
文档预览
HB56UW873E-6A/7A
8,388,608-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
168-pin JEDEC Standard Outline Buffered 8 byte DIMM
ADE-203-576A (Z)
Rev. 1.0
Dec 24, 1996
Description
The HB56UW873E belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed
as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The HB56UW873E is a 8M
×
72 dynamic RAM module, mounted 9 pieces of 64-Mbit DRAM (HM5165805ATT) sealed in TSOP
package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74LVT16244) sealed in TSSOP package. The
HB56UW873E offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the
HB56UW873E is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56UW873E makes high
density mounting possible without surface mount technology. The HB56UW873E provides common data
inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the its module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 3.3 V (±0.3 V) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 60/70 ns (max)
Access time: t
CAC
= 20/23 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 4.73/4.41 W (max)
Standby mode (TTL): 100 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
EDO page mode capability
4,096 refresh cycle: 64 ms
2 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
TTL compatible
HB56UW873E-6A/7A
Ordering Information
Type No.
HB56UW872E-6A
HB56UW872E-7A
Access time
60 ns
70 ns
Package
168-pin dual lead out socket type
Contact pad
Gold
Pin Arrangement
Front side
Back side
1 pin 10 pin 11 pin
85 pin 94 pin 95 pin
40 pin 41 pin
124 pin 125 pin
84 pin
168 pin
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Pin name
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
Pin No.
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Pin name
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
CC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
V
SS
NC
Pin No.
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Pin name
NC
V
CC
WE0
CE0
NC
RE0
OE0
V
SS
A0
A2
A4
A6
Pin No.
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
Pin name
A8
A10
NC
V
CC
NC
NC
V
SS
OE2
RE2
CE4
NC
WE2
2
HB56UW873E-6A/7A
Pin Arrangement
(cont)
Pin No.
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
Pin name
V
CC
NC
NC
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
NC
NC
NC
NC
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
SS
Pin No.
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
Pin name
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0 (V
SS
)
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
CC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
V
SS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
V
CC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
V
SS
NC
Pin No.
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
Pin name
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
NC
V
CC
NC
B0
V
SS
NC
NC
NC
NC
PDE
V
CC
NC
NC
DQ54
DQ55
V
SS
Pin No.
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
Pin name
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
NC
NC
NC
NC
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
V
CC
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
V
SS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1 (V
SS
)
V
CC
3
HB56UW873E-6A/7A
Pin Description
Pin name
A0 to A11, B0
Function
Address input (D0 to D8)
Row address (D0 to D8)
Column address (D0 to D8)
Refresh address (D0 to D8)
Data-in/Data-out
Row address strobe (RAS)
Column address strobe (CAS)
Read/Write enable
Output enable
Power supply
Ground
Presence detect
ID bit
Presence detect enable
Non connection
:
:
:
:
A0 to A11, B0
A0 to A11, B0
A0 to A10, B0
A0 to A11, B0
DQ0 to DQ71
RE0, RE2
CE0, CE4
WE0, WE2
OE0, OE2
V
CC
V
SS
PD1 to PD8
ID0, ID1
PDE
NC
Presence Detect Pin Assignment
PDE
= Low
Pin name
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
Pin No.
79
163
80
164
81
165
82
166
60 ns
1
0
1
1
1
1
1
0
70 ns
1
0
1
1
1
0
1
0
PDE
= High
All
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
1 : High level (driver output)
0 : Low level (driver output)
4
HB56UW873E-6A/7A
Block Diagram
RE0
CE0
WE0
 OE0
CAS RAS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
WE
OE
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
OE
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
OE
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
OE
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
OE
RE2
CE4
WE2
OE2
CAS RAS
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
WE
OE
D0
D5
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D1
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D2
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D3
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D4
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D6
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D7
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CAS RAS WE
I/O
I/O
I/O
D8
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
OE
OE
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
OE
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
PD1 to PD8
V
CC
V
SS
V
CC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
A0
B0
A1 to A11
V
CC
V
SS
0.22
µF ×
11 pcs
D0 to D4
D5 to D8
D0 to D8
D0 to D8, 74LVT16244
D0 to D8,74LVT16244
V
CC
V
CC
V
SS
V
CC
V
SS
V
SS
* D0 to D8
: HM5165805
: 74LVT16244
5
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参数对比
与HB56UW872E-6A相近的元器件有:HB56UW872E-7A。描述及对比如下:
型号 HB56UW872E-6A HB56UW872E-7A
描述 EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168 EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
最大待机电流 0.019 A 0.019 A
最大压摆率 1.27 mA 1.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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