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HC6364/2YVHCT

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.630 INCH, CERAMIC, FP-36

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Honeywell

厂商官网:http://www.ssec.honeywell.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Honeywell
零件包装代码
DFP
包装说明
DFP, FL36,.6,25
针数
36
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-CDFP-F36
JESD-609代码
e0
长度
16.002 mm
内存密度
65536 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
36
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DFP
封装等效代码
FL36,.6,25
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535V;38534K;883S
座面最大高度
3.5052 mm
最大待机电流
0.0003 A
最小待机电流
2.5 V
最大压摆率
0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
FLAT
端子节距
0.635 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
总剂量
1M Rad(Si) V
宽度
16.002 mm
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