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HER308G

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：HY Electronic

厂商官网：http://www.hygroup.com.tw

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器件：HER308G

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
HY Electronic
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.7 V
JEDEC-95代码
DO-27
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
125 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
3 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大重复峰值反向电压
1000 V
最大反向电流
5 µA
最大反向恢复时间
0.075 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
文档预览
HER301G thru HER308G
GLASS HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 3.0
Amperes
DO- 27
FEATURES
●
Low cost
●
Diffused junction
●
Ultra fast switching for high efficiency
●
Low reverse leakage current
●
Low forward voltage drop
●
High current capability
●
The plastic material carries UL recognition 94V-0
.052(1.3)
.048(1.2) DIA.
1.0(25.4)
MI
.375(9.5)
.335(8.5)
210
MECHANICAL DATA
●
Case: JEDEC DO-27 molded plastic
●
Polarity: Color band denotes cathode
.220(5.6)
.197(5.0) DIA
1.0(25.4)
MI
●Weight:
0.04ounces , 1.1grams
●
Mounting position: Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 3.0A DC(Note1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
HER
301G
50
35
50
HER
302G
100
70
100
HER
303G
200
140
200
HER
304G
300
210
300
3.0
HER
305G
400
280
400
HER
306G
600
420
600
HER
307G
800
560
800
HER
308G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
50
1.0
150
1.3
5.0
100
75
30
20
-50 to +150
-50 to +150
1.7
A
V
uA
nS
pF
℃/W
℃
℃
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note2)
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A，I
R
=1A
，I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction to ambient
~ 109 ~
RATING AND CHARACTERTIC CURVES
HER301G thru HER308G
FIG. 1
–
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
(AMPERES
）
3.0
AVERAGE FORWARD CURRENT
AMPERES
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
FIG. 2
–
MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
200
150
100
50
SINGLE HALF-SINE-WAVE
(JEDEC METHOD)
0
1
2
5
10
20
50
100
AMBIENT TEMPERATURE (℃)
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3
–
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
1000
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
(AMPERES)
100
FIG.4-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
HER
305G
100
CAPACITANCE (pF)
HER301G -HER305G
10
HER301G - HER304G
HER306G - HER308G
10
Tj = 25°C f = 1 MHz
1.0
HER306G - HER308G
TJ = 25°C
PULSE WIDTH 300us
0.1
1
1
1.0
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
~ 110 ~
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参数对比
与HER308G相近的元器件有：HER301G、HER302G、HER303G、HER304G、HER307G、HER306G、HER305G。描述及对比如下：
型号 HER308G HER301G HER302G HER303G HER304G HER307G HER306G HER305G
描述 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1 V 1 V 1 V 1.3 V 1.7 V 1.7 V 1.3 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1000 V 50 V 100 V 200 V 300 V 800 V 600 V 400 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.075 µs 0.075 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic - HY Electronic HY Electronic HY Electronic
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