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HM1-65172B-9

IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC

器件类别：存储    存储   

厂商名称：Renesas(瑞萨电子)

厂商官网：https://www.renesas.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T24
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
端子数量
24
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.00002 A
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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