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HM1-65799N-8

Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CDIP28,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Atmel (Microchip)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Atmel (Microchip)
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
端子数量
28
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
64KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与HM1-65799N-8相近的元器件有:HM1-65799M-8。描述及对比如下:
型号 HM1-65799N-8 HM1-65799M-8
描述 Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP28,
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 55 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4
端子数量 28 28
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.09 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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