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HM51W64800J-8

Fast Page DRAM, 8MX8, 80ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ,
针数
34
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
80 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE
JESD-30 代码
R-PDSO-J34
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
34
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
J BEND
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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参数对比
与HM51W64800J-8相近的元器件有:HM51W64800J-6、HM51W64800J-7、HM51W64800LJ-7、HM51W64800LJ-8、HM51W64800LJ-6。描述及对比如下:
型号 HM51W64800J-8 HM51W64800J-6 HM51W64800J-7 HM51W64800LJ-7 HM51W64800LJ-8 HM51W64800LJ-6
描述 Fast Page DRAM, 8MX8, 80ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 Fast Page DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 Fast Page DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 Fast Page DRAM, 8MX8, 80ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ,
针数 34 34 34 34 34 34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N N
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 60 ns 70 ns 70 ns 80 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH; TEST MODE
JESD-30 代码 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 34 34 34 34 34 34
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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