HN1D01FUTE85N

DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Toshiba(东芝)

厂商官网：http://toshiba-semicon-storage.com/

下载文档

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Toshiba(东芝)

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

应用

ULTRA FAST RECOVERY

配置

2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1.2 V

JESD-30 代码

R-PDSO-G6

最大非重复峰值正向电流

2 A

元件数量

相数

端子数量

最高工作温度

125 °C

最大输出电流

0.1 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

最大功率耗散

0.2 W

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

85 V

最大反向电流

0.5 µA

最大反向恢复时间

0.004 µs

反向测试电压

80 V

表面贴装

YES

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

参数对比

与HN1D01FUTE85N相近的元器件有：HN1D01FUTE85R、HN1D01FUTE85L。描述及对比如下：

型号	HN1D01FUTE85N	HN1D01FUTE85R	HN1D01FUTE85L
描述	DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
应用	ULTRA FAST RECOVERY	ULTRA FAST RECOVERY	ULTRA FAST RECOVERY
配置	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流	2 A	2 A	2 A
元件数量	4	4	4
相数	1	1	1
端子数量	6	6	6
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最大输出电流	0.1 A	0.1 A	0.1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.2 W	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	85 V	85 V	85 V
最大反向电流	0.5 µA	0.5 µA	0.5 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs	0.004 µs
反向测试电压	80 V	80 V	80 V
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL