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HSCH-5534

Mixer Diode, Low Barrier, K Band, Silicon

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Broadcom(博通)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Broadcom(博通)
包装说明
R-LTMW-F3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容
0.25 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
MIXER DIODE
频带
K BAND
JESD-30 代码
R-LTMW-F3
JESD-609代码
e3
元件数量
2
端子数量
3
封装主体材料
GLASS
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
脉冲输入最大功率
0.15 W
脉冲输入功率最小值
1 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
技术
SCHOTTKY
端子面层
MATTE TIN
端子形式
FLAT
端子位置
TRIPLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型
LOW BARRIER
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