HU20020,HU20020 pdf中文资料,HU20020引脚图,HU20020电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

HU20010 - HU20020

Std. Polarity

Base is cathode

Rev. Polarity

Base is anode

Dim. Inches

Millimeter

Minimum Maximum Minimum Maximum Notes

1.52

.725

.605

1.182

.745

.152

.525

.156

.495

.120

38.61

1.56

18.42

.775

15.37

.625

30.02

1.192

18.92

.755

3.86

.160

1/4-20 UNC-2B

13.34

.580

3.96

.160

12.57

.505

3.05

.130

39.62

19.69

15.88

30.28

19.18

4.06

14.73

4.06

12.83

3.30

Ultrafast Recovery Modules

Sq.

Dia.

Notes:

Baseplate: Nickel plated

copper

Microsemi

Catalog Number

HU20010*

HU20015*

HU20020*

Working Peak

Reverse Voltage

100V

150V

200V

Repetitive Peak

Reverse Voltage

100V

150V

200V

Ultra Fast Recovery

175°C Junction Temperature

200 Amp current rating

ROHS Compliant

*Add Suffix R for Reverse Polarity

Electrical Characteristics

Average forward current

Maximum surge current

Max peak forward voltage

Max peak reverse recovery time

Max peak reverse current

Typical junction capacitance

I F(AV) 200 Amps

I FSM 2600 Amps

VFM

0.975 Volts

trr

100 nS

I RM

8 mA

I RM

50 uA

1400 pF

T C = 135°C, Square wave, R 0JC = 0.24°C/W

8.3ms, half sine,T J = 175°C

I FM = 200A: J = 25°C*

I F = 1A, R = 30V di/dt = 25A/µS

VRRM, TJ = 125°C*

VRRM, TJ = 25°C

VR = 10V,T J = 25°C

*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%

Thermal and Mechanical Characteristics

Storage temp range

Operating junction temp range

Max thermal resistance

Typical thermal resistance (greased)

Terminal Torque

Mounting Base Torque (outside holes)

Weight

T STG

R OJC

R OCS

-55°C to 175°C

0.24°C/W Junction to case

0.12°C/W Case to sink

35-40 inch pounds

20-25 inch pounds

1.1 ounces (32 grams) typical

www.microsemi.com

January, 2011 - Rev. 3

HU20010 - HU20020

Figure 1

Typical Forward Characteristics

1000

800

600

400

Junction Capacitance - pF

Figure 3

Typical Junction Capacitance

10000

1000

200

100

Instantaneous Forward Current - Amperes

100

0.1

1.0

100

Reverse Voltage - Volts

Figure 4

Maximum Allowable Case Temperature - C

175 C

25 C

Forward Current Derating

180

170

160

150

140

130

120

110

90 120 180

120

180

240

300

8.0

6.0

4.0

2.0

1.0

1.2

1.4

1.6

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Average Forward Current - Amperes

Figure 2

Typical Reverse Characteristics

Typical Reverse Current - mA

1.0

175 C

0.1

.01

.001

125 C

75 C

25 C

120

160

200

Maximum Power Dissipation - Watts

Figure 5

Maximum Forward Power Dissipation

280

240

200

160

120

180

240

300

Average Forward Current - Amperes

120

180

.0001

Reverse Voltage - Volts

www.microsemi.com

January, 2011 - Rev. 3

型号	HU20020	HU20010	HU20015	HU20010_11
描述	200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	200 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-
Reach Compliance Code	unknow	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
应用	ULTRA FAST RECOVERY	ULTRA FAST RECOVERY	ULTRA FAST RECOVERY	-
外壳连接	CATHODE	CATHODE	CATHODE	-
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	0.975 V	0.975 V	0.975 V	-
JESD-30 代码	R-XUFM-X1	R-XUFM-X1	R-XUFM-X1	-
最大非重复峰值正向电流	2600 A	2600 A	2600 A	-
元件数量	1	1	1	-
相数	1	1	1	-
端子数量	1	1	1	-
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-
最大输出电流	200 A	200 A	200 A	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	200 V	100 V	150 V	-
最大反向恢复时间	0.1 µs	0.1 µs	0.1 µs	-
表面贴装	NO	NO	NO	-
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

CPLD使用原理图设计时，使用两个非门会被优化掉吗？: 鄙人刚学CPLD /FPGA，原理图设计过程中，想实现一个延时功能，准备通过两个非门实现，现...; U201015703 FPGA/CPLD

→************ 祈福 ************←: 过几天我的一个小妹妹要动手术了，年纪不到5岁却要受这个罪，我这个远在万里的哥哥也做不了什么，在这里为...; hzq23 嵌入式系统

FPGA时钟输出问题: EP3Cls200 fpGA中 pllout时钟输出引脚中说Optional negative te...; bfxyxxjx FPGA/CPLD

怎样确定光纤活动连接器的接头类型？: 安防行业常见的光纤活动连接器有ST/PC、SC/PC和FC/PC三种（无价差）。ST/PC是卡口式，...; xyh_521 安防电子

【TI首届低功耗设计大赛】+@fxyc87+第二课 GPIO操作【惊喜】: 我之前发表了两个贴子，全部是关于编译环境的一个是IAR使用环境，一个是CCS的，见贴：【TI...; fxyc87 微控制器 MCU

【Follow me第二季第3期】简单按键控制LED实验: 学C语言的时候，第一个程序肯定是打印 Hello World！，单片机则是点灯了。今天也来...; breeze_i DigiKey得捷技术专区

【维科杯】五八智能参评“维科杯·OFweek 2023中国机器人行业年度投资价值企业奖”

维科杯· OFweek 2023中国机器人行业年度评选（简称OFweek Robot Awards 2023），是由中国高科技行业门户OFweek维科网及旗下权威的机器人专业媒体-OFweek维科网·机器人共同举办。该评选是中国机器人行业内的一大品牌盛会，亦是高科技行业具有专业性、影响力的评选之一。此次活动旨在为机器人行业的产品、技术和企业搭建品牌传播展示平台，并借助OFweek平台资源及...[详细]
《穹顶之下》我们能为环境做点什么？

摘要：柴静的一部《穹顶之下》空气污染调查报告引爆了互联网各大平台，我们在反思，我们能为环境做点什么？ZLG致远电子愿与社会、各大环保企业一道，以科技为依托，为环境质量监测出力，为国家大气、水质环境的治理和改善做出贡献。柴静的一部《穹顶之下》空气污染调查报告引爆了互联网各大平台，也引起了全民的对环境污染的思考。再次将雾霾、环保等话题推向风口浪尖。图...[详细]
莱迪思携手Helion推出开箱即用的ISP解决方案，加速嵌入式视觉应用设计

基于的嵌入式视觉限时促销中，特惠价199美元 Helion的预置的ISP解决方案适用于莱迪思嵌入式视觉开发套件，能够为网络边缘应用提供高效可靠的设计解决方案一整套解决方案可缩短开发时间并加速产品上市进程正在限时促销的莱迪思嵌入式视觉有免费评估版的Helion® ISP提供美国俄勒冈州波特兰市 — 2017年10月2日 —...[详细]
2014年全球液晶电视总出货量2.15亿台

根据 TrendForce 旗下光电事业处 WitsView 最新报告显示，2014年液晶电视总出货量为2.15亿台，年成长率5.4 %，优于原先预期。WitsView研究经理张闵尧表示，北美市场经济复苏、大尺寸产品促销的带动、PDP换机热潮、以及2007年以来首波大规模的换机需求等，都是促成液晶电视市场活跃的主因。 2014年液晶电视品牌出货排名再次由韩系品牌三星(Samsung)以22....[详细]
阿里副总裁、达摩院自动驾驶负责人王刚离职，投身机器人领域创业

近日，阿里巴巴副总裁、达摩院自动驾驶实验室负责人王刚已离职，据知情人士透露，王刚离职后，将选择在清洁机器人领域创业，并已经获得融资。阿里官方也证实了此事，并表示感谢王刚为达摩院无人驾驶技术作出的贡献，祝福他未来有更好的发展。王刚的离职并非毫无征兆，据天眼查消息显示，在2021年12月17日，杭州小蛮驴智能科技有限公司发生了管理岗位变更，王刚从执行董事兼总经理职位上退出。对于清洁机器...[详细]
继LCD后，中国OLED再次挑战三星LG

中国发展半导体产业受到美国牵制，转为重点发展OLED。中国厂商从三星和LG手中成功夺取LCD的市场主导权后，三星和LG转为把OLED作为新的事业重点，而目前OLED领域也受到来自中国厂商的挑战。 4月16日据媒体报道，日本最大的Display厂商JDI，最近被中国嘉实集团、台湾面板厂商TPK Holdings等企业组成的联合体以800亿日元（约合48亿元人民币）收购49.8%的股份，该...[详细]
吴强:OPPO模式不一定能成功,手机市场不会出现通吃

"充电5分钟，通话两小时。"OPPO这句宣传口号就像当年史玉柱旗下脑白金狂轰滥炸的广告一样被消费者熟知。在营销和公开市场渠道上的成功，让OPPO成为诸多国内手机企业的效仿对象。今年一季度增长173%的表现，让市场不再小觑这家出身草根的企业。每经记者孟庆建 "充电5分钟，通话两小时。"OPPO这句宣传口号就像当年史玉柱旗下脑白金狂轰滥炸的广告一样被消费者熟知。在营销和公开市...[详细]
车载集成电路市场“高烧不退”，赛灵思将如何携 FPGA 突围

雷锋网按：在“血肉横飞”的自动驾驶之战中，车载集成电路也是一股不可忽视的力量。不过，眼下这个市场上最受投资者关注的还是 AI 处理器和 SoC，因为它们对于崛起中的自动驾驶汽车至关重要。那么 FPGA（现场可编程门阵列）呢？它在这场刺刀战中又扮演者什么角色？作为汽车行业的老朋友，FPGA 方案厂商赛灵思（Xilinx）也坐不住了，赛灵思携手戴姆勒集团，未来要帮新的奔驰车型开发“超高效 AI 解...[详细]
韩媒曝三星DRAM发展蓝图、15nm是制程微缩极限？

三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后...[详细]
预计2026年宽禁带半导体将占汽车功率市场的20%

随着混合动力汽车/电动汽车（HEV / EV）平台销量猛增，据Strategy Analytics预测，到2026年，对电力电子元件的需求将占HEV / EV动力系统半导体总成本的55％以上。在 Strategy Analytics日前发布的“HEV-EV半导体技术展望：SiC和GaN将发挥何种作用”的报告中显示，提高车载电子的系统效率需要碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等基础元件，这就为汽车...[详细]
还查什么地图，这一份深圳最新充电桩位置大全送给你

随着粤B车牌越来越贵越来越难摇，随着电动车技术的发展，越来越多的深圳车主开上了环保节约不限号的电动车。但是，电动车续航较短，能源补给效率慢，作为老司机，一定要掌握充电桩的方位，以防出现半路没电，又找不到桩的情况。2018年3月30日，深圳市公共交通管理局发布深圳最新充电桩位置大全。快收藏起来吧！注：以上数据截至2018年3月20日。站编号，公司—区域—编号，以比亚迪为例：L—B—...[详细]
苹果离消灭Home键又近了一点点

　　当正面只有一个实体按键的 iPhone 亮相时，曾被视为手机界的颠覆之作。然而人们对 Home 键的情感很矛盾：由于老化、美观、屏占比等种种原因，用户们一次又一次地想替苹果“消灭”它，以至于Home 键的迷思不断。　　不过，从 iPhone 5S 开始加入具有指纹识别功能的 TouchID 后，消灭 Home 键的难度大大提高了。而现在有迹象表明，苹果离消...[详细]
电动车发展“去泡沫化”已刻不容缓

近期，有关电动车的多则消息接踵而至，挑逗了对此早已不敏感的业界神经。打头阵的是特斯拉。尽管面临商标被抢注等麻烦，这家风头正劲的美国公司丝毫不掩饰其进军中国市场的决心，位于北京CBD附近的首家体验店已是万事俱备，引得各路媒体竞相探访。而一向热衷于发展电动车的宝马于上周在北京首发了纯电动车型i3，这款增程式电动车的销售将在明年启动，柳传志将会是它的首位中国车主。同时，许久没有动静的腾势与...[详细]
Imagination 宣布推出其第九代图形处理器系列新品

Imagination Technologies 宣布推出其第九代（Series9）图形处理器（GPU）系列新品 PowerVR 9XEP 、 9XMP 和 9XTP 。这三款全新的Series9 GPU代表了PowerVR有史以来最佳的GPU产品组合，它们覆盖了从入门级到高端市场，并结合了效率的改进和新功能，从而提供了卓越的性能。 PowerVR Series9图形处理器将支持智能手机、汽...[详细]
TD-SCDMA与TD-LTE共享平台研究

TD-SCDMA技术目前已开始规模应用。 TD-LTE 作为TD-SCDMA 的后续演进技术，商用产品也将很快成熟，因此需要尽早推动TD-SCDMA 设备支持与TD-LTE 共平台能力，尽可能地保护网络设备投资成本。此外，TD-LTE 可能将在较长一段时间内与TD-SCDMA 网络共存，期间站址和天面资源的矛盾将日益突出，亟需实现资源共享，这对网络设备共平台也提出了迫切需求。　　1 共平台...[详细]