HVCG0603T152M30.01G,HVCG0603T152M30.01G pdf中文资料,HVCG0603T152M30.01G引脚图,HVCG0603T152M30.01G电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

HVC Series — High Voltage Thick Film Chip Resistors

Features

• Voltage ratings to 40,000 volts

• Ohmic values to 10G; higher values possible

• Available with wire bondable terminations

• Tight tolerances to 0.25%

• Superior pulse handling capabilities

• Low TCR to 25 ppm/°C

• Low VCR to 1 ppm/volt

• Very low noise

• Ultra high stability

• RoHS compliant / lead-free

• Utilizes fine film resistor deposition technology • Custom sizes available

Electrical Specifications

Type

Package Type

Power Rating

(Watts)

@ 70°C

Maximum

Working

Voltage*

Resistance

Temperature

Coefficient

±25 ppm/°C

±50 ppm/°C

±100 ppm/°C

±200 ppm/°C

±50 ppm/°C

±100 ppm/°C

±200 ppm/°C

±25 ppm/°C

±50 ppm/°C

±100 ppm/°C

±200 ppm/°C

±25 ppm/°C

±50 ppm/°C

±100 ppm/°C

±200 ppm/°C

±25 ppm/°C

±50 ppm/°C

±100 ppm/°C

±200 ppm/°C

Ohmic Range and Tolerance

0.5%

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 1G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 1G

10%

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 10G

100K – 250M

10K – 250M

1K – 10G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 10G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 10G

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

10K – 10G

HVC 0603

0603

0.06

400

–

HVC 0805

0805

0.20

750

–

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

1K – 250M

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

100K – 1M

100K – 250M

10K – 250M

HVC 1206

1206

0.33

1,200

HVC 2010

2010

1.00

1,700

HVC 2512

2512

2.00

2,500

*The continuous maximum voltage applied cannot exceed the maximum power rating and is ohmic value dependent.

Note: Other case sizes and tolerances are available.

How to Order

HVC

SEI Type

Termination

1206

Size

TCR

100M

Nominal Resistance

Tolerance

Packaging

Code

Termination

Wire bondable (gold)

Solderable single surface

Solderable (solder coated

with nickel barrier)

Solderable wrap-around matte tin

Solderable single surface matte tin

TCR

T0 = 200ppm

T1 = 100ppm

T2 = 50ppm

T9 = 25ppm

Ratio Tolerance

± 0.25

± 0.50

± 1.00

± 2.00

± 5.00

± 10.00

Style

0402

0603, 0805, 1206

2010, 2512

Pkg Qty

10,000

5,000

10,000

1,000

4,000

Description

7" reel - Paper

10" reel - Paper

Bulk

7" reel - Emboss

Code

Toll Free: (888) SEI-SEIS

(888) 734-7347

www.seielect.com

email: marketing@seielect.com

HVC Series — High Voltage Thick Film Chip Resistors

Mechanical Specifications

Type

HVC 0603

HVC 0805

HVC 1206

HVC 2010

HVC 2512

Body Length

0.063 + 0.01/-0.005

1.60 + 0.25/-0.13

0.079 + 0.01/-0.005

2.00 + 0.25/-0.13

0.126 + 0.01/-0.005

3.20 + 0.25/-0.13

0.200 + 0.01/-0.005

5.08 + 0.25/-0.13

0.250 + 0.01/-0.005

6.35 + 0.25/-0.13

Body Width

0.031 ± 0.005

0.80 ± 0.13

0.050 ± 0.005

1.25 ± 0.13

0.061 ± 0.007

1.5 ± 0.18

0.100 ± 0.005

2.54 ± 0.13

0.125 ± 0.005

3.18 ± 0.13

Body Height

0.020

0.50

0.025

0.64

0.030

0.76

0.030

0.76

0.030

0.76

Top Termination

0.010 + 0.01/-0.005

0.25 + 0.25/-0.13

0.010 + 0.01/-0.005

0.25 + 0.25/-0.13

0.015 + 0.01/-0.005

0.38 + 0.25/-0.13

0.020 + 0.01/-0.005

0.51 + 0.25/-0.13

0.020 + 0.01/-0.005

0.51 + 0.25/-0.13

Bottom Termination

0.010 + 0.01/-0.005

0.25 + 0.25/-0.13

0.010 + 0.01/-0.005

0.25 + 0.25/-0.13

0.015 + 0.01/-0.005

0.38 + 0.25/-0.13

0.020 + 0.01/-0.005

0.51 + 0.25/-0.13

0.020 + 0.01/-0.005

0.51 + 0.25/-0.13

Units

inches

Note: 0202 and 0303 case sizes available only with wire bondable terminations.

Performance Characteristics

Test

Load Life

Test Method

MIL-STD-202G

Method 108A

Test Condition D

MIL-STD-202G

Method 107G

Test Condition A

IPC/EIA J-STD-002A

Paragraph 4.2.4

IPC/EIA J-STD-002A

Paragraph 4.2.2

MIL-PRF-55342H

Pg.32, Paragraph 4.8.6

Acceptable Parameter

∆R

= ± 2%

Temperature Cycle

(Thermal Shock)

Resistance to Soldering Heat

Solderability

Short Time Overload

∆R

= ± 0.02%

IPC/EIA J-STD-002A

Paragraph 4.2.4.4

IPC/EIA J-STD-002A

Paragraph 4.2.2.4.2

MIL-PRF-55342H

Pg.11, Paragraph 3.12

Toll Free: (888) SEI-SEIS

(888) 734-7347

www.seielect.com

email: marketing@seielect.com

TI 大学计划成功故事|成都电子科技大学教授彭启琮：大学计划应超越商业合作: 我是成都电子科技大学的彭启琮，在中国，我算是比较早的使用DSP进行科研和教育的一位老师，也正是...; maylove TI技术论坛

程序跑飞的问题: 我用STM32F103VCT6写程序。有一下一段代码： void Window0_Wy...; chenbingjy stm32/stm8

多路放大板绘制问题: 做一个多通道的放大板，如图：每个小黄框里都是独立的一路，其实每一路的电路图是完全相...; 樊旭超 PCB设计

添加并美化SEED-EXP430F5529 LCD背光（TPS75105DSKR正常工作！）: 在Ti申请的 TPS75105DSKR器件今天到了！花了点时间其焊接上了！为了测试 T...; anananjjj 微控制器 MCU

锁相环音频调制电路疑问？: 这个VCOin是不是还要加Vcc/2偏置电压啊？另外我加了偏置电压，中心频率f0在166KHZ，但是...; 阳阳学通信模拟与混合信号

Nordic nRF54H20DK开发板开箱测评: 今天收到了Nordic最新的旗舰级BLE芯片 nRF54H20的开发板，做一个简单的开箱测评。包装...; hannibalwhz RF/无线

大功率晶体三极管的检测

利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。 ...[详细]
研华物联网边缘计算与平台服务伙伴高峰论坛报名开启！

根据 IDC 指出，至 2019 年IoT所建立的资料有45%的储存、处理、分析会发生在边缘端以及其所建构的网络上，随着边缘智能应用 (Edge Intelligence) 与联机装置技术不断演进，市场所需智能系统的数量将持续成长，可预见边缘智能应用将成为带动IoT实践的核心价值─融合网络、计算、存储、应用核心能力的开放平台，就近提供边缘智能服务，可满足行业数字化在敏捷联接、实时业务、数据优化、...[详细]
日媒：索尼研发可卷曲屏幕手机进行中

据Sumahoinfo报道，索尼正在研发卷曲屏幕手机，该设备的设计类似索尼电影中出现的手机影像。据Sumahoinfo报道，近期索尼下一代Xperia手机型号和配置信息频繁曝光，Xperia 20也慢慢浮出水面；另一方面，在几天前，据Leaker报道，索尼移动正在开发该公司的第一个可折叠设备，并引起了一些关注。而这次，曝光的新的索尼Xperia折叠屏手机的“原型”采用可卷曲屏幕设计。Suma...[详细]
半导体复苏机遇来袭，创实技术多线程并进围绕优势领域做深做强

近日，慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕，该展会以粤港澳大湾区为据点，辐射华南、西南以及东南亚市场，汇集人工智能、数据中心、新型储能、无线通信、硬件安全、新能源汽车、第三代半导体、边缘计算、工业互联网以及物联网等热门技术和应用，汇聚国内外一众知名企业，不仅全方位呈现了电子创新产业链上的前沿技术，更吸引了大批量行业优质买家及精英，进一步推进了产业跨界合作与深度协同。深...[详细]
三星将推首款内置NPU汽车处理器，半导体激战已从手机蔓延至汽车

Exynos Auto将成为首款内置NPU模块的三星芯片。NPU在汽车上可用于分析车内图像传感器接收到的图像信号。因此，它能够帮助构建更高效的ADAS（高级驾驶员辅助系统），ADAS可用来识别车道和障碍物。 1月初，三星正式发布了新一代旗舰芯片Exynos 9810，综合素质已经有领先高通骁龙845的趋势。在成功研发手机芯片之后，三星也计划推出首款汽车芯片，或命名为Exynos Auto。根据...[详细]
EMC兼容的汽车开关稳压器设计

　　汽车本身不断变化，驱动汽车的电子装置也是如此。其中最显著的莫过于插电式电动汽车(PEV)，它们采用300V至400V的锂离子电池和三相推进马达取代取代燃气罐和内燃机。精密的电池组电量监控、再生制动系统及复杂的传输控制可将电池使用时间优化，使得电池需要充电的频率减少。此外，现今的电动汽车或其它种类的汽车都具有许多可提升性能、安全、便利性及舒适感的电子模块。许多中档车均配备先进的全球定位系统(G...[详细]
芬兰多公司合作开发出智能汽车服务系统

据芬兰媒体16日报道，芬兰多家公司合作开发出一套智能汽车服务系统，将驾驶员个人信息、汽车行驶情况及汽车维修结合为一体，将使车辆故障检测、维修和紧急求救等更为便捷。这套系统由芬兰汽车维修连锁商Autosi、驾驶信息运营商Helpten及电信运营商Elisa联合开发，系统的核心是在汽车上安装一个传感器，与基于云计算的软件和修车行连通，驾驶员可使用智能手机接入该服务。 ...[详细]
R&S示波器RTM引领长时间信号序列分析

由于具有了R&S RTM-K15历史和分段存储选件，与其它同档次示波器相比，R&S RTM台式示波器能使用户分析更长时间的信号序列。R&S RTM会只自动捕获相关的信号序列，如突发信号或脉冲，然后将它们存储在分段存储空间中。之后可以使用示波器的所有功能来对捕获到的信号进行详细分析。 R&S RTM-K15历史和分段存储选件将R&S RTM台式示波器的最大存储深度扩展到了前所未有的每通道...[详细]
浅谈RFID电子标签封装技术

1 RFID技术概述 1.1 RFID 技术概念 RFID 是Radio Frequency Identification的缩写, 即射频识别技术, 俗称电子标签。R F I D 射频识别是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据,识别工作无须人工干预,可工作于各种恶劣环境。R F I D 技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签, 操...[详细]
基于LM4910的立体声耳机放大器电路

LM4910是美国国家半导体公司生产的IC，用于低功耗集成立体声放大器。该放大器用于放大失真度低于1%的耳机。该放大器电路可在 3.3VDC 电压下工作，在 32 欧姆耳机下输出为 0.35 瓦。该IC的设计使其在输出线上不需要耦合电容器。电路中的电容器C1和C2用作左右通道上的去耦直流输入。而R1和R1提供障碍物，因此输入灵敏度不会太高。电容器 C3 有助于从纹波电压中滤除直流电压。 ...[详细]
eARC为未来的家庭影院互连解决方案实现无损的音频质量

引言 HDMI 2.1是HDMI最新推出的HDMI标准。该标准的视频传输速度提高300％，压缩功能增强300％，视频带宽比HDMI 2.0的18 Gbps高9倍。HDMI 2.1标准增加了一系列新特性，包括动态HDR（Dynamic HDR）、可变刷新率（Variable Refresh Rate, VRR）和快速媒体切换（Quick Media Switching）。您需要购买新的视频输...[详细]
全球超算500强名单公布中国份额蝉联第一

第53届全球超算TOP500名单在于德国法兰克福举办的“国际超算大会”（ISC）上发布。与2018年11月公布的名单相比，榜单前四位没有变化，部署在美国能源部旗下橡树岭国家实验室及利弗莫尔实验室的两台超级计算机“顶点”和“山脊”仍占据前两位，中国超算“神威·太湖之光”和“天河二号”分列三、四名。其中，世界最快超算“顶点”在本届榜单上的性能峰值达到148.6 PFlops，创下了新的超算记录。 ...[详细]
导入人体区域网路技术，医疗系统实现远程智能监控（二）

人体通讯系统以数字电路实现，实体层协议数据皆是Gold序列编码产生。再经过频率位移码（Frequency Shift Code， FSC）升频后，输入至电极片传送；而频率位移码使用重复［0 1］编码，其中展频因子（Spreading Factor， SF）决定重复的次数。假设频率位移码使用［0 1］，则SF为2；依此类推，频率位移码使用［0 1 0 1］，SF即为4。　　如图3所示，人体通讯传送...[详细]
固定阈值在超声波测距车载中的应用

引言在超声波测距车载应用中，例如：超声波泊车辅助（UPA）和盲点探测（BSD）等，系统发射的超声波被周围物体反射回来。系统接收反射波（回波），然后将物体的回波振幅与某个阈值比较，从而实现探测物体的目的。物体越靠近系统，其回波也越强。因此，阈值随时间而变化，是一种相对常见的情况。本文将向您论述，该阈值无需变化，可以保持固定不变。超声波测距小轿车中使用的高级驾驶员辅助系统（ADAS）...[详细]
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下代） V...[详细]