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HVD369B

4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
包装说明
SFP, 2 PIN
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管电容容差
5.1%
最小二极管电容比
2.3
标称二极管电容
4.9 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
125 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与HVD369B相近的元器件有:HVD369B_06。描述及对比如下:
型号 HVD369B HVD369B_06
描述 4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
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