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HY27US08121B-FCB

Flash, 64MX8, 18ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
BGA
包装说明
VFBGA, BGA63,10X12,32
针数
63
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.1.A
最长访问时间
18 ns
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
JESD-30 代码
R-PBGA-B63
长度
11 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
部门数/规模
4K
端子数量
63
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VFBGA
封装等效代码
BGA63,10X12,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小
512 words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3/3.3 V
编程电压
3.3 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
座面最大高度
1 mm
部门规模
16K
最大待机电流
0.00005 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
SLC NAND TYPE
宽度
9 mm
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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