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HY5117400AR-70

Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TSOP2
包装说明
0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
针数
26
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G24
JESD-609代码
e0
长度
17.14 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装等效代码
TSOP24/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
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