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HY514100J-10

Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ, SOJ20/26,.34
针数
20
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
100 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-J20
JESD-609代码
e0
长度
17.15 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ20/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
3.76 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
参数对比
与HY514100J-10相近的元器件有:HY514100J-70、HY514100J-80。描述及对比如下:
型号 HY514100J-10 HY514100J-70 HY514100J-80
描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34
针数 20 20 20
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm
自我刷新 NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.07 mA 0.09 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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