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HY514404ALR-70

EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP2-R,
针数
20
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e6
长度
17.14 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN BISMUTH
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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参数对比
与HY514404ALR-70相近的元器件有:HY514404AR-60、HY514404ALR-50、ADM6317BY25ARJR7、HY514404AR-70、HY514404ALR-60。描述及对比如下:
型号 HY514404ALR-70 HY514404AR-60 HY514404ALR-50 ADM6317BY25ARJR7 HY514404AR-70 HY514404ALR-60
描述 EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20 Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset in 5-Lead SOT-23 EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
厂商名称 SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP TSOP TSOP - TSOP TSOP
包装说明 TSOP2-R, TSOP2-R, TSOP2-R, - TSOP2-R, TSOP2-R,
针数 20 20 20 - 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown - unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO - FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns 60 ns 50 ns - 70 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 - R-PDSO-G20 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e6 e6 e6 - e6 e6
长度 17.14 mm 17.14 mm 17.14 mm - 17.14 mm 17.14 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit - 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM - EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 - 4 4
功能数量 1 1 1 - 1 1
端口数量 1 1 1 - 1 1
端子数量 20 20 20 - 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words - 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 - 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4 - 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2-R TSOP2-R TSOP2-R - TSOP2-R TSOP2-R
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 - 1024 1024
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH - TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm - 7.62 mm 7.62 mm
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