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HY51V16404CR-60

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2-R,
针数
26
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G24
JESD-609代码
e6
长度
17.14 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN BISMUTH
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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