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HY5DU561622FLTP-D5

256Mb DDR SDRAM

器件类别：存储    存储   

厂商名称：SK Hynix(海力士)

厂商官网：http://www.hynix.com/eng/

器件标准：

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSSOP66,.46
针数
66
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.65 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G66
JESD-609代码
e6
长度
22.225 mm
内存密度
268435456 bi
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
66
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSSOP66,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）
260
电源
2.6 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.194 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.01 A
最大压摆率
0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.4 V
标称供电电压 (Vsup)
2.6 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
10.16 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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